| 研究課題/領域番号 |
24550244
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 地方独立行政法人大阪市立工業研究所 |
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研究代表者 |
渡瀬 星児 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究主任 (60416336)
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| 研究分担者 |
松川 公洋 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究部長 (90416321)
渡辺 充 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究主任 (70416337)
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| 研究協力者 |
藤崎 大樹 大阪電気通信大学, 大学院
狩生 和希 大阪電気通信大学
上原 淳慈 大阪電気通信大学
城 美耶子 大阪電気通信大学
下前 昌洋 大阪電気通信大学
山下 毅 同志社大学
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | シルセスキオキサン / 有機無機ハイブリッド / 金属錯体 / カルバゾール / 電界発光 / りん光材料 / 薄膜材料 / ゾルゲル反応 / 半導体 / 電界発光素子 / りん光薄膜 / エネルギー移動 / ホール輸送性 / カルバゾール基 / ハイブリッド / ダイオード / 整流素子 / チオールエン反応 |
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| 研究成果の概要 |
電界発光特性を有するりん光ハイブリッド薄膜の創製を目指して、シルセスキオキサンをホスト材料として有機化合物や発光性金属錯体とのハイブリッド化について検討した。その結果、カルバゾールの導入によりシルセスキオキサンにホール輸送性を付与することに成功した。また、このシルセスキオキサンに発光性金属錯体をハイブリッド化した薄膜では、シルセスキオキサンが増感剤として働くことで発光を増強できることがわかった。さらに、この薄膜を発光層に用いた素子が電界発光を示すことを確認した。
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