研究課題/領域番号 |
24560004
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 筑波大学 |
研究代表者 |
丸本 一弘 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (50293668)
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連携研究者 |
竹延 大志 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (70343035)
岩佐 義宏 東京大学, 工学研究科, 教授 (20184864)
阿澄 玲子 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, グループ長 (40356366)
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研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | 有機トランジスタ / 電子スピン共鳴 / ミクロ特性評価 / 素子動作機構 / 素子劣化機構 / イオンゲル / 低電圧駆動 / 高電荷密度状態 |
研究成果の概要 |
分子レベルで材料評価を行える高感度な手法である電子スピン共鳴(ESR)を、イオンゲルを用いた低電圧駆動有機トランジスタに適用し、素子動作中のESR観測によるミクロ特性評価を進めながら、特に、これまでESR法により研究されてこなかった、高電荷密度状態での素子動作機構と素子劣化機構の解明を微視的な観点で行った。有機材料における電荷キャリアの電子状態(スピン状態やキャリア間磁気相互作用等)をゲート電圧の関数として詳細に研究した。その結果、電荷密度増加と共に、磁気相互作用の次元が0次元から2次元や3次元へと変化する現象や、高電荷密度下における完全な非磁性電荷状態の実現を明らかにした。
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