| 研究課題/領域番号 |
24560024
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
中原 仁 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (20293649)
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| 連携研究者 |
齋藤 弥八 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (90144203)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電界放出電子源 / 電子顕微鏡 / ナノカーボン / 電界誘起成長 / 電界成長 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、電界放出誘起成長(FEIG)法を用いて、電子顕微鏡用の電子源として使用可能な高輝度ナノカーボン電子源の作製を行うことに成功した。作製したナノカーボン電子源は直径1nm程度のカーボンナノカプセルで構成されており、一般的な単結晶タングステンより1桁以上高い輝度を達成した。FEIG法の自己整合性により、作製したナノカーボン電子源は電子線の軸調整が容易である。また、作製したナノカーボン電子源は、単結晶タングステンと同程度の引き出し電圧で駆動でき、既存の電界放出電子銃への適応性が極めて高いことが実証された。
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