| 研究課題/領域番号 |
24560025
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
伊藤 智徳 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80314136)
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| 研究分担者 |
秋山 亨 三重大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40362363)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 量子論的アプローチ / 半導体ぬれ層 / 吸着・脱離 / 成長過程 / 半導体表面構造 / 状態図 / 格子不整合系 / ぬれ層表面 / 量子ドット / 成長機構 / 計算材料科学 |
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| 研究成果の概要 |
量子論的アプローチにより，GaAs(001)上のInA-(2×3)ぬれ層を中心に，成長条件である温度，分子線圧力を考慮した，表面構造ならびに吸着・脱離を含む成長過程について検討した。その結果，従来安定と考えられていたぬれ層表面構造である(2x3)表面は成長条件下で不安定であること，(2x3)表面上ではInAs成長は進行しないことを明らかにした。これは，In 原子の吸着によって生じる，表面での大きなひずみに起因すると考えられる。このひずみを緩和するために，ダイマー欠損を有する(4x3)表面が出現し，In-Asダイマー形成，Asダイマー脱離を繰り返すことで成長が進行することを見いだした。
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