| 研究課題/領域番号 |
24560027
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
中嶋 薫 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80293885)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 表面・界面物性 / 軽元素分析 / ドーパント / イオン散乱分光法 / 弾性反跳粒子検出法 / アトムプローブ / イオン散乱分光 / 二次イオン質量分析 |
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| 研究成果の概要 |
高分解能ラザフォード後方散乱分光法（高分解能RBS）／高分解能弾性反跳粒子検出法（高分解能ERD）において、シリコン中のドーパントなどの軽元素に対する感度および深さ分解能の向上を目的にした改良を行った。シリコン基板または黒鉛基板上にフッ化リチウムおよびリチウムを蒸着した試料の高分解能ERD測定を行って、リチウムに対する感度・深さ分解能を評価した結果、表面のリチウム原子について検出下限が0.01原子層以下（3e13 atoms/cm2 程度）、深さ分解能が約0.5 nmが達成された。内部のリチウム原子に対しては、原子が存在する深さが5 nmの場合に深さ分解能は3 nm以下と見積もられた。
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