| 研究課題/領域番号 |
24560029
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
大宅 薫 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (10108855)
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| 研究分担者 |
山中 卓也 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 技術専門職員 (00546335)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | イオン顕微鏡 / 二次電子放出 / ヘリウムイオン / シミュレーション |
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| 研究成果の概要 |
イオン・固体相互作用の微視的モデルに基づく二次電子放出のシミュレーションコードを開発し、二次電子収量の入射エネルギー依存性、入射角依存性、材料依存性、放出二次電子のエネルギー分布や角度分布を評価して、走査電子顕微鏡や従来のガリウムイオン顕微鏡に対する優位性を示した。
シリコン基板上の百ナノメートル程度の周期的溝構造の表面形状コントラストや数十～数百ナノメートル厚の酸化膜の帯電コントラストを観測し、実形状、実照射条件でのシミュレーションと比較して、ヘリウムイオン顕微鏡の像形成詳細メカニズムを明らかにした。結晶方位コントラストや照射ダメージについても検討し、ナノデバイス計測性能を評価した。
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