| 研究課題/領域番号 |
24560031
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 横浜市立大学 |
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研究代表者 |
重田 諭吉 横浜市立大学, 生命ナノシステム科学研究科, 教授 (70106293)
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| 研究分担者 |
戸坂 亜希 横浜市立大学, 大学院生命ナノシステム科学研究科, 助教 (20436166)
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| 研究協力者 |
石井 卓也
中田 淳也
吉田 竜馬
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 薄膜成長 / インターミキシング / 歪み半導体 / 走査トンネル顕微鏡 / 角度分解光電子分光 / 表面伝導バンド |
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| 研究成果の概要 |
機能性材料の創成に重要な薄膜成長において、歪みの影響、特に、”ヘテロエピタキシャル成長における原子の混合（Intermixing）に与える歪みの影響”について焦点を絞り明らかにすることを目的とした。その結果、(1)Ge(111)面上のSi層のヘテロエピタキシー構造では、焼鈍温度が450℃の条件で、厚さ2層が原子混合の起こらない限界の膜厚であることを示した。(2)Ge/Si(111)系の固相エピタキシー成長を例に、成長後の表面形状からIntermixingの有無を判定する条件を提案した。
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