| 研究課題/領域番号 |
24560034
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 福岡大学 |
|---|
研究代表者 |
眞砂 卓史 福岡大学, 理学部, 准教授 (50358058)
|
|---|
| 研究分担者 |
柴崎 一郎 公益財団法人野口研究所, 顧問 (10557250)
石田 修一 山口投稿理科大学, 工学部, 嘱託教授 (70127182)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
|
|---|
| キーワード | 量子井戸 / キャリア密度 / 移動度 / バンド構造 / バンドダイアグラム / InSb / InAsSb / 分子線エピタキシー / ホールセンサ / スピン軌道相互作用 / スピンポンピング / バンドアライメント / ホールセンサー |
|---|
| 研究成果の概要 |
III-V族狭ギャップ化合物半導体であるInSbやInAsは、高感度磁気センサーに必要不可欠な物質である。我々は、これらの材料系のうち、InSb量子井戸とInAsSb量子井戸について、シート抵抗、キャリア密度、移動度などの電気伝導特性を系統的に調べた。InAsSbはInSbに比べて非常に良い特性を得ることができる事がわかった。これについて、バンド構造から検討した結果、Asの導入により量子井戸の伝導帯がフェルミレベルより下がるために、低温においても低抵抗を維持できると言うことが分かった。またInSb量子井戸のドーピング効果についても調べ、温度特性を大きく改善できる事が分かった。
|
