| 研究課題/領域番号 |
24560035
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
相澤 俊 独立行政法人物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主席研究員 (00354431)
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| 研究分担者 |
末原 茂 物質・材料研究機構, 主幹研究員 (00354374)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 遷移金属炭化物 / 遷移金属ホウ化物 / 分子線エピタキシ / シリセン / エピタキシ |
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| 研究成果の概要 |
遷移金属炭化物、ホウ化物の代表としてZrCの分子線エピタキシーを調べた。ZrC(111)上には予想されるより著しく低い温度(400℃)で層状成長することが分かった。酸化物基板、Si基板ではエピタキシーするが層状成長しなかった。酸化物基板の場合温度を上げると下地の酸化物と反応してしまう。Si基板の場合はSiが成長表面に拡散してきてZrCの層状成長を阻害することが分かった。
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