| 研究課題/領域番号 |
24560151
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 秋田県産業技術センター |
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研究代表者 |
赤上 陽一 秋田県産業技術センター, その他部局等, その他 (00373217)
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| 研究分担者 |
久住 孝幸 秋田県産業技術センター, 素形材プロセス開発部, 主任研究員 (40370233)
中村 竜太 秋田県産業技術センター, その他部局等, 研究員 (00634213)
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| 連携研究者 |
中村 竜太 秋田県産業技術センター, 素形材プロセス開発部, 研究員 (00634213)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 研磨 / スラリー / サファイア / 電界砥粒制御研磨技術 / ＣＭＰ / 電界砥粒制御技術 / 遊離砥粒研磨 / 砥粒 / 電界 |
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| 研究成果の概要 |
本研究よりLEDの基板に用いられ高脆材料である単結晶サファイア基板の研磨加工において，電界を研磨環境下に提供することで，研磨定盤の回転数を高速回転にしてもなお，用いるスラリーの配置制御を可能にし，優れた研磨品位を保ち，かつ，研磨レートは31.7％向上することが得られる研磨メカニズムを実験を通して解明に成功し，これより有用な研磨技術であることを量産の6インチウエハーでも明らかにしたことにある．
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