| 研究課題/領域番号 |
24560327
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
矢野 浩司 山梨大学, 総合研究部, 教授 (90252014)
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| 研究分担者 |
山本 真幸 山梨大学, 大学院総合研究部, 助教 (00511320)
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| 連携研究者 |
田中 保宣 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 (20357453)
八尾 勉 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 (10399503)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2013年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2012年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
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| キーワード | パワーデバイス / ワイドバンドギャップ / 電力工学 / ワイドバンドギャップ半導体 / パワーエレクトロニクス / SiC |
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| 研究成果の概要 |
炭化珪素(以下SiC)を用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(buried Gate static induction transistor:BGSIT)において、「少数キャリアの弱い注入」を用いた新しい動作モードの原理と設計指針の解明、および3.3kVまでの設計指針を明らかにすることを目的としている。その結果、ターンオン時の入力電圧レベルを通常モードの2.5Vから7.5Vに増加させることにより出力スイッチング損失は3分の1に低減できた。また3.3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計指針を確立し、オン抵抗7.3mΩcm2の世界最高の低損失性能を実現した。
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