| 研究課題/領域番号 |
24560368
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
赤堀 誠志 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジ-センター, 准教授 (50345667)
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| 連携研究者 |
山田 省二 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 (00262593)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 選択成長 / MBE / InAs / ナノワイヤ / FET / スピン / MnAs |
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| 研究成果の概要 |
領域選択形成InAsナノワイヤのスピンデバイス応用を目指して、(112)B基板上での成長、ウェットエッチングによる50 nm径InAsナノワイヤの形成、ナノワイヤトランジスタの作製・評価を行った。また、強磁性体電極作製技術・スピン物性評価技術として、CoFe-InGaAs系非局所スピンバルブデバイスの作製・評価、MnAs/InAs/GaAs(111)B成長と伝送線路モデルデバイスの作製・評価を行い、スピンデバイス応用に向けて有望な知見を得た。
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