グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその２次元評価

• 研究課題/領域番号: 24560369
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 福井大学
• 研究代表者: 塩島 謙次 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70432151)
• 研究分担者: 橋本 明弘 福井大学, 大学院工学研究科, 教授 (10251985)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円); 2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2012年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: 窒化ガリウム / グラフェン / ショットキー電極 / ２次元評価 / GaN / 電極 / 窒化物半導体 / 二次元評価 / 2次元評価

研究成果の概要

表面構造が安定しているグラフェン層を金属／半導体界面に挿入し電気的特性を制御することを本研究の目的としている。グラフェン層を大面積で均一に半導体表面に堆積することが困難なため、電極面内の２次元評価法として顕微光応答法を新たに立ち上げた。Ni/n-GaN構造ではグラフェン層が介在している部分ではショットキー障壁高さが低くなることが明らかになった。本電極構造を用いると、低抵抗なオーミック電極がn形GaNに対して形成される可能性が示唆される。

研究成果

• [雑誌論文] Nondestructive imaging of buried interfaces in SiC and GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, Tomoyoshi Mishima
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 8 号: 4 ページ: 046502-046502
  • DOI: 10.7567/apex.8.046502
  • NAID: 210000137483
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Roles of lightly doped carbon in the drift layers of vertical n-GaN Schottky diode structures on freestanding GaN substrates (2015)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Tanaka, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 54 号: 4 ページ: 041002-041002
  • DOI: 10.7567/jjap.54.041002
  • NAID: 210000144901
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electrical characteristics of low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky contacts (2015)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, Sachi Tachibana andKenji Shiojima
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 252 号: 5 ページ: 1031-1037
  • DOI: 10.1002/pssb.201451590
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts (2015)
  • 著者名/発表者名: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano and Kenji Shiojima
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 252 号: 5 ページ: 1024-1030
  • DOI: 10.1002/pssb.201451581
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara and Kenji Shiojima
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 252 号: 5 ページ: 1017-1023
  • DOI: 10.1002/pssb.201451579
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Numerical Ananysisi on Phonon Localization of Vacancy Type Disordered Graphene (2015)
  • 著者名/発表者名: Md. S. Islam, Md. T. Rahaman, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Journal of Circuits, Systems, and Computers 巻: 24 号: 02 ページ: 1540002-1540017
  • DOI: 10.1142/s0218126615400022
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarized microscopic laser Raman scattering spectroscopy for edge structure of epitaxial graphene and localized vibrational mode (2014)
  • 著者名/発表者名: Md. S. Islam, D. Tamakawa, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Carbon 巻: 77 ページ: 1073-1081
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of vacancy defects on phonon properties of hydrogen passivated GNRs (2014)
  • 著者名/発表者名: Md. S. Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Carbon 巻: 88 ページ: 146-154
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarized micro Raman scattering spectroscopy for curved edges of epitaxial graphene (2014)
  • 著者名/発表者名: Md. S. Islam, A. G. Bhuiyan, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 105 号: 24
  • DOI: 10.1063/1.4904469
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, Tomoyoshi Mishim
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 557 ページ: 268-271
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.031
  • 査読あり
• [雑誌論文] A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation (2014)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki, Yutaka Tokuda
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 557 ページ: 207-211
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.077
  • 査読あり
• [雑誌論文] Alternating current operation of low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 557 ページ: 258-261
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.039
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of boron and nitrogen doping with native point defects on the vibrational properties of graphene (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Sherajul-Isram, K. Ushida, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Comput. Mater. Sci 巻: 94 ページ: 35-43
  • DOI: 10.1016/j.commatsci.2014.01.040
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of vibrational properties of C-doped hexagonal boron nitride (h-BN) (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Sherajul-Isram, K. Ushida, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
  • 雑誌名: Comput. Mater. Sci 巻: 94 ページ: 225-233
  • DOI: 10.1016/j.commatsci.2014.04.047
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical Characteristics of Surface-Stoichiometry-Controlled p-GaN Schottky Contacts (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, and Satoru Tanaka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52 号: 1S ページ: 01AF05-01AF05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.01af05
  • NAID: 210000141778
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, and Gako Araki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52 号: 8S ページ: 08JN06-08JN06
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jn06
  • NAID: 210000142752
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shiojima, T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, and, K. Nomoto
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52 号: 8S ページ: 08JJ08-08JJ08
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jj08
  • NAID: 110009626389
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, and Kenji Shiojima
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52 号: 11S ページ: 11NH03-11NH03
  • DOI: 10.7567/jjap.52.11nh03
  • NAID: 210000143127
  • 査読あり
• [雑誌論文] Numerical analysis on vacancy induced vibrational properties of graphene nanoribbons (2013)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
  • 雑誌名: Computational Materials Science 巻: 79 ページ: 356-361
  • DOI: 10.1016/j.commatsci.2013.06.047
  • 査読あり
• [雑誌論文] Numerical experiments on phonon properties of isotope and vacancy-type disordered graphene (2013)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
  • 雑誌名: Computational Materials Science 巻: 40 ページ: 115-122
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2013.10.013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, Gako Araki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Inductively Coupled Plasma Etching in p-Type GaN Schottky Contacts (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, and Kazuki Nomoto
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 52
  • NAID: 210000142713
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies (2012)
  • 著者名/発表者名: U. Honda, Y. Yamada, Y. Tokuda, K. Shiojima
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics(JJAP) 巻: vol51 号: 4S ページ: 04DF04-04DF04
  • DOI: 10.1143/jjap.51.04df04
  • NAID: 210000072148
  • 査読あり
• [学会発表] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 山本 晋吾、畠山 信也、末光 哲也、塩島 謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-GaNショットキー接触の２次元評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 村瀬真悟, 山本晋吾,田中丈士, 三島友義, 中村徹、塩島 謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 永縄 萌、 青木 俊周、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志、塩島 謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塩島 謙次
  • 学会等名: Electronic Journal 第2615回 Technical Seminar
  • 発表場所: 総評会館 東京
  • 年月日: 2014-12-11
  • 招待講演
• [学会発表] Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN contacts (2014)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima
  • 学会等名: 2nd Intensive Discussion of Growth of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tohoku Univ., Sendai Japan
  • 年月日: 2014-11-30
  • 招待講演
• [学会発表] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次, 山本 晋吾, 木原雄平
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 大阪大
  • 年月日: 2014-11-28
• [学会発表] 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の表面欠陥の評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/n-SiCショットキー接触の２次元評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 木原雄平, 山本晋吾, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大
  • 年月日: 2014-09-18
• [学会発表] 界面顕微光応答法を用いたn-GaNショットキー接触の２次元評価--表面構造の影響-- (2014)
  • 著者名/発表者名: 山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大
  • 年月日: 2014-09-18
• [学会発表] GaN表面、界面、結晶欠陥の評価とデバイス特性への影響 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次
  • 学会等名: 第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価･制御」
  • 発表場所: かんぽの宿恵那、岐阜県恵那市
  • 年月日: 2014-09-11
  • 招待講演
• [学会発表] Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy (2014)
  • 著者名/発表者名: Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Kenji Shiojima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-27
• [学会発表] Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts (2014)
  • 著者名/発表者名: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano, Kenji Shiojima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-27
• [学会発表] Electrical Characteristics of Low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky Contacts (2014)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, Sachi Tachibana and Kenji Shiojima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Vibrational Properties of Graphene Nanoribbons with Realistic Edge Structures (2014)
  • 著者名/発表者名: Md. S. Islam, T. Makino, S. Tanaka and A. Hashimoto
  • 学会等名: The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
  • 発表場所: Fukuoka
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Numerical Study on Phonon Properties of Defective Silicene (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Nambu, Md. S. Islam, S. Tanaka and A. Hashimoto
  • 学会等名: The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
  • 発表場所: Fukuoka
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki
  • 学会等名: 7th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: Sendai Japan
• [学会発表] Vacancy Induced Phonon Properties of Hydrogen Passivated Graphene (2014)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam, Md. Tawabur Rahman, A. G. Bhuiyan, Akihiro Hashimoto
  • 学会等名: IEEE 1st International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT 2013)
  • 発表場所: Khulna, Bangladesh
• [学会発表] 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の電気的特性の評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 橘佐智, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価(2) (2014)
  • 著者名/発表者名: 永縄萌, 青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes”, 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
  • 学会等名: 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
  • 発表場所: Fukoka
• [学会発表] High-Temperature ICTS Study on SiN Deposition Damages for Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, and Tomoyoshi Mishima
  • 学会等名: 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
  • 発表場所: Fukoka
• [学会発表] Systematic Study on Defect Formation and HEMT Operation of Low-Carbon Doped GaN Layers (2013)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Tanaka, Yohei Otoki, Kenji Shiojima, and Yutaka Tokuda
  • 学会等名: 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
  • 発表場所: Fukoka
• [学会発表] Displacement current in current-voltage characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington DC
• [学会発表] Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington DC
• [学会発表] Characterization of traps in high-resistivity MOCVD GaN doped with carbon (2013)
  • 著者名/発表者名: Yutaka Tokuda, Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima and Yohei Otoki,
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
• [学会発表] Metal work function dependence of Schottky barrier height by internal photoemission measurements of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
• [学会発表] Vibrational Properties of Graphane with Vacancy - Type Defects (2013)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
• [学会発表] Growth of AlN on Graphene Substrate by RF (2013)
  • 著者名/発表者名: Kensuke Kasagi, Kouji Shimizu, Yuki Sakagawa, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
• [学会発表] Al0.7Ga0.3N Growth on Epitaxial Graphene by RF - MBE (2013)
  • 著者名/発表者名: Yuki Sakagawa, Kouzi Shimizu, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
• [学会発表] AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
  • 学会等名: 第３２回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(守山市)
• [学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山本晋吾、青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] 高抵抗GaNのトラップ評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 徳田豊、田中丈士、塩島謙次、乙木洋平
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, Ji-Su Son、天野浩、塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響 (2013)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也、金田直樹,三島友義, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価（２） (2013)
  • 著者名/発表者名: 木原雄平, 塩島謙次、青木俊周, 金田直樹, 三島友義
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] Effect of boron and nitrogen doping on the vibrational properties of graphene (2013)
  • 著者名/発表者名: Md Sherajul Islam, Taknobu Hirooka, Takayuki Makino, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] Analysis of vibrational properties of C - doped hexagonal boron nitride ( h - BN) (2013)
  • 著者名/発表者名: Md sherajul Islam, Takanobu Hirooka, Takayuki Makino, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto,
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大
• [学会発表] GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次, 木原雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 大阪大
• [学会発表] 低Mgドープｐ－GaNショットキー接触のAC動作 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次,青木俊周, 金田直樹, 三島友義
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 大阪大
• [学会発表] GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島 謙次
  • 学会等名: Electronic Journal 第2029回 Technical Seminar
  • 発表場所: 総評会館 東京
  • 招待講演
• [学会発表] High-temperature ICTS study on ICP etching damages for p-GaN surfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshitika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, Kenji Shiojima
  • 学会等名: 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013)
  • 発表場所: Aichi Pref. Japan
• [学会発表] Characterization of electron traps in MOCVD p-GaN by minority carrier transient spectroscopy (2013)
  • 著者名/発表者名: Unhi Honda, Toshiya Matsuura, Hidenari Naito, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima
  • 学会等名: 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013)
  • 発表場所: Aichi Pref. Japan
• [学会発表] Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Shiojima
  • 学会等名: 6th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics 
and 
JSPS Core-to-Core Program
  • 発表場所: Sendai Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Initial stage of ohmic formation for Ti/Al contacts on GaN and AlGaN/GaN (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shiojima, H. Yokohama, and G. Araki
  • 学会等名: 6th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics 
and 
JSPS Core-to-Core Program
  • 発表場所: Sendai Japan
• [学会発表] 低Mgドープp-GaNショットキー接触の交流動作 (2013)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次、木原雄平、青木俊周, 金田直樹, 三島友義
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ- (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次、中村成志
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 招待講演
• [学会発表] 低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 招待講演
• [学会発表] 転写グラフェンの曲線状エッジにおける偏光顕微ラマン散乱分光 (2013)
  • 著者名/発表者名: 玉川大輔, 石田高章, 田中悟, 橋本明弘
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 水素終端したグラフェンナノリボンの格子振動解析 (2013)
  • 著者名/発表者名: 牛田憲次, Md. Sherajul Islam, 田中悟, 橋本明弘
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] RF-MBE成長InGaN混晶のB1(high)モードによる成長温度最適化の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 坂川祐樹, 兒玉賢治, 廣長大造, 橋本明弘
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] MBE成長In-rich InxAl1-xN混晶フォノンのラマン散乱評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 小池隆, 金廷坤, 中西晋一, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 兒玉賢治, 橋本明弘, 山本暠勇
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] ラマン散乱によるMBE成長InxGa1-xN混晶フォノンの評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 中西晋一, 金廷坤, 小池隆, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 兒玉賢治, 橋本明弘, 山本暠勇
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] Excitation energy dependence of minority carrier transient spectroscopy spectra of n-GaN (2012)
  • 著者名/発表者名: Unhi Honda, Tatsunari Shibata, Yujiro Yamada, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima, Hiroyuki Ueda, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, and Tetsu Kac
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Demise, H. Yokohama, G. Araki, and K. Shiojima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, K. Nomoto, and K. Shiojima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高橋 利文 金田 直樹 三島 友義 野本 一貴 塩島 謙次
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 福井大
• [学会発表] 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の 電気的特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高橋 利文 金田 直樹 三島 友義 梶原 隆司 田中 悟 塩島 謙次
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 福井大
• [学会発表] MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 本田銀熙, 塩島 謙次, 徳田 豊
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] 低Mgドープp-GaNショットキー接触の順方向I-V特性の解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(2)--高温ICTSによる評価― (2012)
  • 著者名/発表者名: 高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島謙次
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] Full molar fraction Raman spectra from RF-MBE grown InxAl1-xN alloys (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Kodama, H. Harima, A. Yamamoto, A. Hashimoto
  • 学会等名: ISGN-4
  • 発表場所: Russia St.Petersburg
• [学会発表] 強制振動子法によるグラフェンのパーコレーションネットワークの振動解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 牛田憲次, Md. Sherajul Islam, 橋本明弘, 田中悟
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] 転写エピタキシャルグラフェンのエッジにおける偏光顕微ラマン散乱分光 (2012)
  • 著者名/発表者名: 玉川大輔, 田中悟, 橋本明弘
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] ラマン不活性B1(high)振動モードによるInxGa1-xN混晶の結晶性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 兒玉賢治, 清水浩司, 橋本明弘, 播磨弘, 金廷坤
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] ラマン散乱分光法による中間組成域InGaNの結晶性評価における成長方法の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 廣長大造, 兒玉賢治, 橋本明弘, 播磨弘, 金廷坤
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] Vibrational Properties of Percolation Network of Graphene Nanoribbons (2012)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam, 牛田憲次, 橋本明弘, 田中悟
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] MOVPE法InN成長のためのNH3分解におけるPt触媒温度(RT～1000℃)効果 (2012)
  • 著者名/発表者名: 杉田憲一, 廣長大造, 三原章宏, 橋本明弘, 山本暠勇
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学
• [学会発表] Numerical Analysis on The Lattice Vibration of Percolation Network of Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: Md. Sherajul Islam,K. Ushida, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 学会等名: IUMRS-ICEM
  • 発表場所: 神奈川県横浜市
• [学会発表] Intrinsic Stress of Transfer Epitaxial Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Kodama, Md. Sherajul Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 学会等名: IUMRS-ICEM
  • 発表場所: 神奈川県横浜市
• [学会発表] Behavior of B1(high) Mode in Raman Spectra from InxGa1-xN Alloys ( 0 ≤ x ≤ 1 ) Grown by RF-MBE (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Kodama, K. Shimizu, T. Kim, H. Harima, A. Hashimoto
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Inference on Raman spectra by the crystal qualityof RF-MBE grown InxAl1-xN alloys (0≤x≤1) (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Kasagi, K. Kodama, T. Kim, H. Harima, A. Hashimoto
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] A comparative study on MOVPE InGaN with intermediate In compositions grown on GaN/sapphire template and AlN/Si(111) substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Mihara, Y.d Zheng, D. Hironaga, A. Hashimoto, N. Shigekawa, a. Yamamoto
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Comparative studies of Raman Spectra from InGaN grown by MBE and by MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Hironaga, K. Kadama, K. Karagi, A. Hashimoto, H. Harima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC surfaces (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ishiyama, M. Takagi, Y. Higashihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto, S. Tanaka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Numerical Study on Lattice Vibration of Hydrogen Passivated Percoration Graphene Network (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Ushida, Md. Sherajul Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 学会等名: MRS 2012 Autumn Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Large Area Transfer Method for Epitaxial Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Ishida, D. Tsunemi, T. Kajiwara, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 学会等名: MRS 2012 Autumn Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Polarized Microscopic Laser Raman Scattering Spectroscopy for Edge Structure of TransferredEpitaxial Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Tamagawa, T. Ishida, D. Tsunemi, T. Kajiwara, S. Tanaka, A. Hashimoto
  • 学会等名: MRS 2012 Autumn Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [図書] Proceedings of the 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (2014)
  • 著者名/発表者名: Seiichi Miyazaki, Matty R. Caymax, Siegfried Mantl, Masanobu Miyao, Junichi Murota, Toshio Ogino, Tsugunori Okumura, Kenji Shiojima, James C. Sturm, Shinichi Takagi, Akira Toriumi, Kastuyoshi Washio, Ya-Hong Xie, Shigeaki Zaima
  • 総ページ数: 393
  • 出版者: Elsevier
• [図書] 2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塩島謙次
  • 総ページ数: 66
  • 出版者: （株）電子ジャーナル
• [図書] 2013化合物半導体技術大全CD-ROM版 (2013)
  • 著者名/発表者名: 木浦成俊編集、塩島謙次他32名分著
  • 総ページ数: 347
  • 出版者: 株式会社電子ジャーナル
• [備考] 福井大学大学院 工学研究科 電気・電子工学専攻 電子物性講座 塩島研究室のホームページ
  • URL: http://fuee.u-fukui.ac.jp/~shiojima/integrated.html
• [備考] 福井大学大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 電子物性講座 塩島研究室のホームページ
  • URL: http://fuee.u-fukui.ac.jp/~shiojima/integrated.html
• [産業財産権] 半導体変調素子 (2012)
  • 発明者名: 塩島謙次
  • 権利者名: 塩島謙次
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2012-12-27