研究課題
基盤研究(C)
強誘電体をナノサイズの薄膜とすることで特異なトンネル効果が現れ、トンネル電流は分極に依存するので、これを用いた新型メモリが期待されている。しかし、物性解明のためには理想的な強誘電体トンネル接合を作ることが重要で、超高品質なナノ結晶や膜の形成と評価技術の構築が求められる。本研究では、スパッタ法を改良した新開発のナノ結晶成長手法により各種強誘電体および金属のナノ結晶育成に取り組んだ。研究前期で、作製条件の最適化と改良により自己組織的にサイズ、配置を制御したナノ結晶育成が実現できた。さらに後期には、ナノシートを得、さらに積層や、微小領域や超微小電流の計測を実現できた。
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Transactions of the Materials Research Society of Japan
巻: 39 ページ: 203-206
130005004326
巻: 39 ページ: 255-258
Transaction of Materials Research Society of Japan
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Japanese Journal of Applied Physics
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AIP Advances
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http://resweb2.jhk.adm.fukuoka-u.ac.jp/FukuokaUnivHtml/info/5888/R107J.html