| 研究課題/領域番号 |
24560375
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
浅田 裕法 山口大学, 理工学研究科, 准教授 (70201887)
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| 研究分担者 |
仙波 伸也 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (40342555)
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| 連携研究者 |
小柳 剛 山口大学, 大学院理工学研究科, 教授 (90178385)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | スピンフィルタ / 強磁性半導体 |
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| 研究成果の概要 |
分子線エピタキシャル法によりp型伝導を示すGeTeと強磁性EuS障壁からなる二重スピンフィルタ(SF)構造の成長を行い、フルエピタキシャルGeTe/EuS/GeTe/EuS/GeTe積層膜を得た。InP(100)基板においてはEuS(111)が優先配向面であったが、Teをドープすることで基板面方位に成長できることがわかった。また、半導体基板であるInP(100)基板に、単層SF構造(GeTe/EuS/GeTe)においてSF効果が得られた障壁層厚程度のEuSを直接成長させたEuS/GeTe(100)フルエピタキシャル膜を得た。
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