| 研究課題/領域番号 |
24560383
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
山本 寛 日本大学, 理工学部, 教授 (90130632)
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| 研究分担者 |
岩田 展幸 日本大学, 理工学部, 准教授 (20328686)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 単層カーボンナノチューブ / 化学的気相蒸着 / 自由電子レーザ / カイラル / ラマンスペクトル / サファイヤ基板 / 配向成長 / カイラリティ / 自由電子レーザー / 化学気相成長 / 成長位置制御 |
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| 研究成果の概要 |
単層カーボンナノチューブ（SWNTs）のCVD成長中、自由電子レーザ（FEL）を照射し、その光共鳴エネルギーに対応する所望のカイラルを持つSWNTsの成長を選択的に「その場成長」できるプロセス開発を行った。FEL未照射時、SWNTsはr面サファイア [-111]方向に揃って成長した。800nmのFEL照射の場合、ラマンスペクトル解析により、えられたSWNTs直径は約1.1nmであり、半導体相のみが成長することが確認された。さらに、サファイア基板のステップテラスに対して垂直方向に、それぞれ単独のSWNTとして優先的に成長することが観測され、今後のナノデバイスプロセスへの応用展望が拓けた。
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