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へき開共振器ミラーを有する非極性GaN基板上緑色半導体レーザに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 24560385
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関金沢工業大学

研究代表者

山口 敦史  金沢工業大学, 工学部, 教授 (60449428)

研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
研究課題ステータス 完了 (2014年度)
配分額 *注記
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
キーワード半導体レーザ / 窒化物半導体 / 光学利得 / 価電子帯 / 偏光特性 / GaN / へき開共振器ミラー
研究成果の概要

低コスト・高性能の緑色半導体レーザを実現するためには、素子の構造設計が重要である。本研究では、構造設計の理論計算を行う際に用いる材料パラメータ(変形ポテンシャルなど)の信頼性について理論・実験両面から研究した。その結果、偏光PL測定の実験結果を基に求められている現在の材料パラメータは信頼できず、偏光PLE測定を用いて決定しなければならないことがわかった。これは、ポテンシャル揺らぎが大きいInGaN系独特の効果が原因となっている。

報告書

(4件)
  • 2014 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2013 実施状況報告書
  • 2012 実施状況報告書
  • 研究成果

    (13件)

すべて 2015 2014 2013 2012

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (11件) (うち招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Theoretical Analysis of Optical Polar-ization Properties in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells for Precise Determination of Valence-Band Parameters in InGaN Alloy Material2015

    • 著者名/発表者名
      Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 252 号: 5 ページ: 885-889

    • DOI

      10.1002/pssb.201451594

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] 非極性InGaN量子井戸の偏光特性2014

    • 著者名/発表者名
      坂井繁太、山口敦史、栗原 香、長尾 哲
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 114 ページ: 23-26

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Optical Polarization Properties in Nonpolar InGaN Quantum Wells2015

    • 著者名/発表者名
      Atsushi A. Yamaguchi, Shigeta Sakai, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao
    • 学会等名
      Energy Materials Nanothechnology East Meeting 2015
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-04-22
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Effects of Alloy Compositional Fluctu-ation on Optical Polarization Properties in Nonpolar InGaN Quantum Wells2014

    • 著者名/発表者名
      Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Kaori Kurihara, and Satoru Nagao
    • 学会等名
      the 10th International Symposium on Semi-conductor Light Emitting Devices
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      2014-12-18
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 非極性InGaN量子井戸の偏光特性2014

    • 著者名/発表者名
      坂井繁太、山口敦史、栗原 香、長尾 哲
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2014-11-27
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical Study of Optical Gain Characteristics in InGaN Pure-Green Laser Diodes on Semipolar GaN Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Atsushi A. Yamaguchi, Shigeta Sakai
    • 学会等名
      Energy Material Nan-otechnology Open Ac-cess Week Meeting
    • 発表場所
      Chengdu, China
    • 年月日
      2014-09-23
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] In組成の空間的ゆらぎが非極性InGaN量子井戸の偏光特性へ及ぼす影響2014

    • 著者名/発表者名
      坂井繁太, 山口敦史, 栗原香, 長尾 哲
    • 学会等名
      2014年秋季 第75 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-19
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical Analysis of Optical Polar-ization Properties in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells for Precise Determination of Valence-Band Parameters in InGaN Alloy Material2014

    • 著者名/発表者名
      S. Sakai, A.A. Yama-guchi
    • 学会等名
      International Work-shop on Nitride sem-iconductors
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-26
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in InGaN Green Laser Diodes Fabricated on Low-Angle Semipolar GaN Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Atsushi A. Yamaguchi and Shigeta Sakai
    • 学会等名
      2014 Asia-Pacific Workshop on Funda-mentals and Applica-tions of Advanced Semiconductor Devic-es
    • 発表場所
      Kanazawa, Japan
    • 年月日
      2014-07-01
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in InGaN Green Laser Diodes Fabricated on Low-Angle Semipolar GaN Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Atsushi A. Yamaguchi and Shigeta Sakai
    • 学会等名
      2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Kanazawa, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Anisotropic Op-tical Gain Characteristics in Semipo-lar-Oriented InGaN Quantum-Well Laser Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Shigeta Sakai and Atsushi A. Yamaguchi
    • 学会等名
      6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor 2013
    • 発表場所
      New Taipei City, Taiwan
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Anisotropic Optical Gain Characteristics in Semipolar-Oriented InGaN Quantum-Well Laser Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Shigeta Sakai and Atsushi A. Yamaguchi
    • 学会等名
      6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor 2013
    • 発表場所
      New Taipei City, Taiwan
    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
  • [学会発表] Optical polarization and anisotropic gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum well lasers2012

    • 著者名/発表者名
      Atsushi A. Yamaguchi
    • 学会等名
      Photonics Global Conference 2012
    • 発表場所
      Singapore
    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
    • 招待講演

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公開日: 2013-05-31   更新日: 2019-07-29  

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