| 研究課題/領域番号 |
24560386
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
遠藤 和弘 金沢工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50356606)
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| 研究分担者 |
立木 昌 東北大学, 理学(系)研究科(研究院), 客員研究員 (20028111)
有沢 俊一 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導ユニット, 主幹研究員 (00354340)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | MOCVD法 / ビスマス系酸化物超伝導体 / 薄膜 / 配向制御 / テラヘルツ素子 / テラヘルツ発振 / 高温超伝導 |
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| 研究成果の概要 |
我々は、実用レベルの出力を持つテラヘルツ（THz）素子を目指して、独自に開発した有機金属化学気相成長法（MOCVD）により、低誘電率の単結晶基板上に、c軸が１方向に約45度傾いて揃った、双晶のない高品質なBi系酸化物超伝導体の非c軸配向単結晶膜を作製した。薄膜の構造評価は新たに開発したＸ線回折による配向性評価法を用いて行った。さらに、世界で初めて、究極の配向制御である、Bi-2223 の a 軸配向単結晶膜の作製に成功した。
これらの単結晶膜を用いると、今までにない全く新しい素子構造が可能になり、懸案の「THz波強度問題」を解決する画期的なTHz素子が期待できる。
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