| 研究課題/領域番号 |
24560387
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 一関工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
佐々木 晋五 一関工業高等専門学校, 准教授 (80225870)
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| 研究分担者 |
齊藤 伸 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50344700)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 磁性材料 / 薄膜材料 / グラニュラ構造 / 薄膜作製プロセス / スパッタリング / グラニュラ組織 / グラニュラー構造 |
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| 研究成果の概要 |
CoPt－酸化物グラニュラ膜の高一軸結晶磁気異方性エネルギー（Ku）化のため、積層欠陥の排除と原子層組成変調構造を導入したCoPt－酸化物グラニュラ膜の検討を行った。CoPt合金の高Ku化については、CoPt合金のPtの一部をRhに置換することや原子層組成変調構造を導入したCo80Pt20合金によって、Kuは最大約10倍に増大した。CoPt－酸化物グラニュラ膜の作製プロセス技術については、プロセス中の不純物ガス（H2Oなど)、成膜ガス圧と膜組成の関係を明らかにした。さらには、酸素組成をO/Si=2に調整可能な新しいタイプのスパッタリング・ターゲットの開発も行った。
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