| 研究課題/領域番号 |
24560390
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
前田 辰郎 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40357984)
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| 研究分担者 |
安田 哲二 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 (90220152)
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| 連携研究者 |
田中 正俊 国立大学法人横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 高移動度チャネル / ゲルマニウム / ゲートスタック / 窒化物 / 非酸化物 / 高移動度チャネル材料 / 窒化膜 / スパッタリング / 窒化ハフニウム / 窒化膜ゲートスタック / ハフニウム窒化物 |
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| 研究成果の概要 |
単一金属Hfターゲットを用いた反応性DCマグネトロンスパッタリング法にて、Ar/N2流量比のみの変化で、金属性HfN(抵抗率349uΩcm)/絶縁性HfNx(Eg=2.9eV)/Ge-MIS構造を作製した。さらに、絶縁性HfNｘは、比誘電率が20以上のHigh-k材料であり、Geと良好な界面(界面準位密度Dit= 4E12cm-2eV-1)を形成することを明らかにした。また、製作したGe-MIS構造は、酸素の混入が無く、500℃まで熱的に安定であることがわかった。その結果、窒素組成比の制御のみで、シンプルに、耐熱性の高い全窒化膜Ge-MIS構造を製作できることがわかった。
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