研究課題
基盤研究(C)
高周波・高出力化を目指しGaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオード(RTD)テラヘルツ発振器について研究を行った。まず、高周波化に向け走行時間を減らすため、空乏層の長さを決めているコレクタスペーサ層厚の最適化を行った。さらに、井戸内滞在時間を減らすための狭井戸化を行い、導体損失を低減したアンテナと組み合わせることで1.92THzの発振を得た。これは現在電子デバイスで最高の発振周波数である。高出力化に向けて、インピーダンスマッチングのためのオフセット給電スロットアンテナとアレイ化による出力合成を行った。これにより620GHzにおいて610μWの高出力が得られた。
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IEICE Electronics Express
巻: 12 号: 3 ページ: 20141161-20141161
10.1587/elex.12.20141161
130004939956
Appl. Phys. Lett.
巻: 104 号: 24 ページ: 243509-243509
10.1063/1.4884602
Electron. Lett.
巻: 50 号: 17 ページ: 1214-1216
10.1049/el.2014.2362
IEEE Electron Dev. Lett.
巻: 35 号: 12 ページ: 1215-1217
10.1109/led.2014.2364826
J. Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
巻: vol.35 号: 5 ページ: 425-431
10.1007/s10762-014-0058-z
110009902736
巻: 35 号: 5 ページ: 445-450
10.1007/s10762-014-0061-4
110009902737
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 53 号: 3 ページ: 31202-31202
10.7567/jjap.53.031202
210000143405
巻: 10 号: 18 ページ: 20130501-20130501
10.1587/elex.10.20130501
130003365037
Jpn. J. Appl. Phys
巻: 52 号: 10R ページ: 100210-100210
10.7567/jjap.52.100210
40022765769
IEEE J. Selected Topics Quantum Electron
巻: vol.19, No.1 号: 1 ページ: 8500108-8500108
10.1109/jstqe.2012.2215017
J. Infrared Milli. Terahz. Waves
巻: vol. 33 号: 5 ページ: 475-478
10.1007/s10762-012-9893-y
Electron. Lett
巻: vol.48, No.10 号: 10 ページ: 582-583
10.1049/el.2012.0849
レーザー学会誌「レーザー研究」
巻: 40 ページ: 517-522
10030769450
Appl. Phys. Express
巻: vol. 5 号: 12 ページ: 124101-124101
10.1143/apex.5.124101