| 研究課題/領域番号 |
24560399
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
徳田 博邦 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 特命助教 (10625932)
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| 研究分担者 |
葛原 正明 福井大学, 大学院工学研究科, 教授 (20377469)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | AlGaN/GaN / heterostructure / barrier height / sheet electron density / mobility / Hall effect measurement |
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| 研究成果の概要 |
AlGaN/GaNヘテロ接合に、Ni/Alを蒸着し真空中で熱処理すると、室温のシート電子濃度と移動度が増加する。この増加する現象を、ソース抵抗の低減に利用するために、HEMTを試作した。ソース・ゲート間距離を変えて試作し、素子のソース・ドレイン間抵抗（Rds)を真空熱処理層有り、無しで比較した。その結果、熱処理層を設けることによりRdsが減少することが分かった。ただしRdsの減少量は、熱処理無しの場合にくらべて約10%程度であり、効果は小さかった。真空熱処理層を適用して素子特性を向上させるには、今後さらにより効果的な素子構造を検討する必要があり、このことが今後の課題である。
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