| 研究課題/領域番号 |
24560401
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
小野 篤史 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (20435639)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | フォトダイオード / 表面プラズモン / SOI / 金ナノ粒子 / プラズモン |
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| 研究成果の概要 |
本研究目的は，次世代CMOSとして注目されているSOIデバイスに光検出器を同一基板上に実装することである．SOI光検出器の感度を大幅に向上させる技術を開拓するため，本研究では，受光面上に金ナノ粒子を付着した新しいSOI-PINフォトダイオードを開発した．金ナノ粒子付SOI-PINフォトダイオードをモデル化し，SOI内部の光吸収効率を計算することにより，金ナノ粒子の粒径と付着密度を最適化した．さらに感度向上メカニズムを明らかにした．期間中に，金ナノ粒子付きSOIフォトダイオードを開発し，感度特性を計測した．金ナノ粒子の付着により，可視光領域において約2倍の感度向上を実証した．
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