研究課題/領域番号 |
24560416
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 東海大学 |
研究代表者 |
藤本 邦昭 東海大学, 基盤工学部, 教授 (60229044)
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連携研究者 |
矢原 充俊 東海大学, 福岡短期大学, 教授 (30259692)
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研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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配分額 *注記 |
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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キーワード | AD変換器 / ニューロンMOSFET / 集積回路 / ニューロンCMOS / FGMOS / ニューロンCMOSインバータ / クロックドCMOS / AD変換器 / ニューロンCMOS / FGMOS / ニューロンCMOSインバータ / AD変換 / ニューロンMOS / フローティングゲート |
研究成果の概要 |
本研究では、まずAD変換器の電圧レベル判定素子に適したニューロンCMOSインバータの回路構成について検討した。その結果、ニューロンCMOSインバータに初期電荷キャンセル回路を付加する必要があることが分かった。次に、ニューロンCMOSインバータを基本構成部品とした4種類のAD変換回路構成し、所期の動作が得られることをシミュレーションおよび実チップを用いた実験により明らかにした。
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