| 研究課題/領域番号 |
24560422
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神奈川大学 |
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研究代表者 |
水野 智久 神奈川大学, 理学部, 教授 (60386810)
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| 研究分担者 |
鮫島 俊之 東京農工大学, 共生科学技術研究院, 教授 (30271597)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2013年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2012年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス |
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| 研究成果の概要 |
数nm以下の超微細CMOS構造として有望なSi膜厚T0.5nmの二次元Si（2D-Si）を形成することに成功し，その量子的閉じ込め効果による物性変調を実験的に実証した．フォノンの閉じ込め効果による低波数側のRamanスペクトルを確認できた．更にTの減少とともに，より低波数側のRamanスペクトルが観測できることも実証した．また，PL法により，2D-Siのバンド構造の変調効果，即ち禁制帯幅Eの増大効果を実証した．EはTの減少とともに急激に増大し，3D-SiのEの1.1eVより約0.6eVも増加することを実証した．更に，不純物によるEナローイング効果が，3D-Siより低下することも明らかにした．
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