| 研究課題/領域番号 |
24560427
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 中部大学 |
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研究代表者 |
脇田 絋一 中部大学, 生命健康科学部, 教授 (20301640)
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| 研究分担者 |
高橋 誠 中部大学, 工学部, 教授 (10236317)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 高速 / 低電圧駆動 / 室温励起子吸収 / 高純度 / 厚い空乏層 / 電気吸収効果 / 電気光学効果 / 空間光変調器 / 低電圧 / 電界吸収変化 / 電界屈折率変化 / 光強度変調 / 低消費電力 / 高速動作 / 高消光比 / 屈折率制御 / 波面制御 / 並列処理 / 励起子吸収 / フランツ・ケルデッシュ効果 / 空間光変調 |
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| 研究成果の概要 |
光の超高速性、超並列性を生かした新しい光情報処理素子(空間光変調器）の研究・開発を目的に、超高純度砒化ガリウム(GaAs)を液相エピタキシャル成長により作製し、空乏層厚30μm以上、室温励起子吸収の観測、その電界印加による量子閉じ込めシュタルク効果類似の大幅な長波長側シフトを観測し、層に垂直な光入射構成で大きな消光比(>20dB)を低電圧(<10V)で実現でき、推定応答速度サブnsecを求め、既報告の1000V, 数msecを大幅に超える素子特性を得、液晶に替わる次世代の空間光変調器を実現した。
また、大きな吸収係数変化よりクラマース・クローニッヒの関係から大きな電界屈折率変化を推定した。
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