| 研究課題/領域番号 |
24560826
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
荒木 秀樹 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20202749)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | 格子欠陥 / 強誘電性 / ペロブスカイト構造 / 原子空孔 |
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| 研究成果の概要 |
ペロブスカイト型強誘電体酸化物ABO3は、優れた誘電特性を示し、赤外線センサーや圧電アクチュエータ、不揮発性メモリなど様々な電子デバイスへの応用に関心が集まっている。ABO3が有する様々な物性は、カチオン空孔が導入されると、分域の移動が変化するなどして、大きく変化するとの報告はあるが、未だ不明な点が多い。本研究では、陽電子消滅法を用いて、ABO3の陽電子寿命を測定し、カチオン空孔の形成挙動と誘電特性への影響を明らかにした。
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