| 研究課題/領域番号 |
24560883
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
福本 信次 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (60275310)
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| 研究分担者 |
藤本 公三 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70135664)
松嶋 道也 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90403154)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | パワーデバイス / 固相液相反応 / 金属間化合物 / カーケンダルボイド / 拡散 / 熱応力 / マイクロ接合 / 低温接合 / 半導体 / 固液反応 / 反応熱 / 接合メカニズム / 反応拡散 / 銅 / 銀 / 錫 / ヤング率 / テルミット反応 / 反応速度 |
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| 研究成果の概要 |
省エネルギー社会を支えるパワーデバイスにはSiCなどの次世代半導体の搭載が期待されている．その実装においては従来のはんだは適用できず，新しい接合技術が必要となる．本研究では薄膜のSnをインサート材として，固相/液相の反応を利用した接合法を用いた．まず極小量Sn液相とCuとの反応機構を調べ，Cu6Sn5がCu3Snへ相変態するプロセスを明らかにした．ただしCu3Snの接合層はその形成過程で多くのカーケンダルボイドを形成することや，高い弾性率がチップに高い熱応力を発生させることが問題となった．そこで第2元素を添加し，複数相間の反応を利用することでこれらの問題を改善することができた．
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