| 研究課題/領域番号 |
24560891
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
湯本 敦史 芝浦工業大学, 工学部, 准教授 (20383987)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ナノ結晶材料 / ナノ粒子 / 超音速ガス流 / シリコン半導体 / リチウムイオン2次電池負極 / 薄膜太陽電池 / ナノ結晶 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，超音速フリージェットPVDを用いて無酸素銅およびガラス基板上にナノ結晶Si膜の形成を試みた．本法は，超音速ガス流により加速させたナノ粒子を基材に堆積させることで皮膜を形成させるコーティング技術であり，厚膜の形成が可能な手法である．本法を用いて緻密なSi膜の形成に成功した．形成させた膜の結晶性は，XRDおよびラマン分光法により分析した．本法により形成させたSi膜は5～12nmの結晶粒を呈しており，基板の加熱や熱処理を施すこと無くナノ結晶膜の形成を達成した．
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