研究課題/領域番号 |
24561048
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
原子力学
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研究機関 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
研究代表者 |
佐藤 隆博 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 高崎量子応用研究所 放射線高度利用施設部, 研究副主幹 (10370404)
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連携研究者 |
加田 渉 群馬大学, 大学院理工学府電子情報部門, 助教 (60589117)
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研究協力者 |
江夏 昌志
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研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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キーワード | イオンビーム / ビームモニタ / シンチレータ / CCD / CMOS / イオンマイクロビーム / リアルタイム / シンンチレータ / 加速器 |
研究成果の概要 |
本研究では、数100MeV級高エネルギーイオンマイクロビームの強度分布を測定するビームモニタの開発を目的とした。具体的には、薄いシンチレータを直付けした撮像素子によってビーム強度を測定した。シンチレータとして透明度と輝度が高くイオンビーム照射によるダメージが比較的少ないフッ化カルシウムを選択した。また、撮像素子としてCCDやCMOSを使用した。260MeVネオンビームの照射実験の結果、CCDの場合、数カウント/秒のビームの照射位置を7μm以下の空間分解能で取得できた。 また、CMOSの場合、数100カウント/秒のビーム強度を検出可能であった。
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