| 研究課題/領域番号 |
24651173
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
林 将光 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料ユニット, 主任研究員 (70517854)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | ナノ電子デバイス / 金属半導体相転移 / 機能性酸化物 / 相転移 |
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| 研究概要 |
ターゲットに金属のVを用いて作製した酸化バナジウム膜については、X線回折の結果から組成がVO2に近い構造のピークが何度か得られたが、再現性が非常に乏しかった。これはスパッタ中にターゲットが酸化してしまうことで、堆積する膜の酸素濃度も変わってしまうことが原因と考えられる。構造がVO2に近い膜は340度付近で金属・半導体層転移することが電気伝導測定からわかった。
一方、ターゲットにV2O5を用いると、基板温度が600度付近で、VO2相に相当するX線回折ピークの強度が増加したが、均一な単相の状態を作製するのが難しく、得られた膜の電気伝導を測定すると、金属・半導体相転移の転移温度、抵抗変化が小さかった。
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