| 研究課題/領域番号 |
24655097
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
高分子化学
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| 研究機関 | 山形大学 (2013)
東京工業大学 (2012) |
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研究代表者 |
東原 知哉 山形大学, 理工学研究科, 准教授 (50504528)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 半導体高分子 / 精密合成 / 亜鉛錯体 / 重縮合 / ポリチオフェン / π共役系高分子 / 精密重合 / アート錯体 / チオフェン / 根岸カップリング / 有機薄膜太陽電池 |
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| 研究概要 |
本研究では、導電性高分子を合成するための亜鉛アート錯体を用いた新しい重合法の開発、特に触媒配位子の詳細検討や保護基を必要としない含官能基（電子欠損）モノマーの化学選択的な連鎖重合法の開発を目的とした。Ni触媒リン配位子の詳細な検討の結果、分子量のそろった構造の明確なp型導電性高分子やブロック共重合体の合成に初めて成功した。また、適切な金属触媒とリン配位子を使用することで、n型導電性高分子の重合系にも応用可能であり、本手法の有用性が示された。
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