| 研究課題/領域番号 |
24656011
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
纐纈 明伯 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10111626)
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| 研究期間 (年度) |
2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / InGaN, HVPE成長,原料分子制御 / 気相成長 / エピタキシャル成長 / InGaN / HVPE成長 / 原料分子制御 |
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| 研究概要 |
省エネルギー社会のキーマテリアルであるInGaN窒化物三元混晶の新しい気相成長方法を用いて、現在成長が不可能なIn_xGa_1-_xNの(1)高品質結晶の成長、(2)高速・厚膜成長および(3)全組成領域の成長を実現する。
In_xGa_1-_xN混晶は、組成(x)を制御することによりバンド端エネルギーを紫外領域(365nm)から赤外領域(1900nm)まで変化が可能な大きな潜在能力を持つことから、高効率LEDやLDの発光材料さらに太陽光の全範囲の吸収が可能な高変換太陽電池材料として注目されている。しかし、この材料はIn組成20%以上の結晶成長が非常に難しく、そのため高品質InGaNの成長に成功した例は世界的に無い。本研究の新しい成長方法によりInGaNの成長が可能なことを見出した。
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