| 研究課題/領域番号 |
24656018
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪市立大学 |
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研究代表者 |
中山 正昭 大阪市立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30172480)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | テラヘルツ電磁波 / コヒーレント縦光学フォノン / 半導体エピタキシャル構造 / i-GaAs/n-GaAs構造 / GaAs/InAlAsひずみ多重量子井戸構造 / p-i-nダイオード構造（GaAs） / 内部電場制御 / フォノン分極 / コヒーレントLOフォノン / 時間分解テラヘルツ電磁波分光法 / i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造 / LOフォノン分極 / 時間分解テラヘルツ電磁波分光 / GaAs/InAlAs歪み量子井戸構造 / ピエゾ電場 / 内部電場 / コヒーレントLOフォノン－プラズモン結合モード |
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| 研究概要 |
以下に示す半導体エピタキシャル構造を試料として、コヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ（THz）電磁波発生の内部電場による制御機構について研究を行った。
i-GaAs/n-GaAs構造では、表面フェルミレベルピニングによる表面電場によって、(11n)面GaAs/In0.1Al0.9As歪み多重量子井戸構造では、格子歪みによるピエゾ電場によって、分極増大を介してTHz電磁波が顕著に増強されることを明らかにした。さらに、p-i-nダイオード構造では、バイアス電圧によって内部電場を制御し、THz電磁波強度を連続的、かつ、劇的に増強できることを実証し、THzデバイスの新たなコンセプトを提示した。
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