| 研究課題/領域番号 |
24656024
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
三谷 誠司 独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料ユニット, グループリーダー (20250813)
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| 連携研究者 |
介川 裕章 物質・材料研究機構, 磁性材料ユニット, 主任研究員 (30462518)
葛西 伸哉 物質・材料研究機構, 磁性材料ユニット, 主任研究員 (20378855)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 強磁性トンネル接合 / コヒーレントトンネル / パーマロイ / 磁気メモリ素子 |
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| 研究概要 |
強磁性トンネル接合は、ハードディスクの読取ヘッドや磁気ランダムアクセスメモリに用いられており、スピントロニクスの中心的素子となっている。コヒーレントトンネル効果がその性能向上に寄与してきたが、適用可能な材料系がbcc-Fe系電極とMgO(100)バリアに限られていた。本研究では、新たにNiFe(111)電極等と組合せ可能なコヒーレントトンネルバリアの開発を目指し、NiFe(111) 等の上で世界で初めてMgAlO系バリア材料を結晶化させ、エピタキシャル成長させることに成功した。従来のAlOバリアと比較すると、画期的な結果である。
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