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Ruナノドットを担持したZrO2粒子及び、多孔性Ir繊維上に担持したRuナノ粒子複合触媒上でのヒドラジンの自己発熱反応により高温の窒素系プリカーサを生成すること。窒素系プリカーサとGa原料(TMGa)ガスとの反応により形成した高エネルギーGaNプリカーサを用いることで窒化物半導体薄膜の低温成長を実現することを目的に研究を行った。結果、Ruナノドットを担持したZrO2触媒へのヒドラジンのパルス供給により高エネルギー窒素系プリカーサの生成に成功し、600℃の低温でサファイア基板上にc軸配向したGaN膜の成長に成功した。ただIr繊維上へのRuナノ粒子の担持は成功せず複合触媒の作製は実現出来なかった。
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