| 研究課題/領域番号 |
24656051
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
井須 俊郎 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 特任教授 (00379546)
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| 研究分担者 |
北田 貴弘 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任准教授 (90283738)
森田 健 千葉大学, 大学院工学研究科, 准教授 (30448344)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 半導体レーザ / 面発光 / 化合物半導体多層膜 / MBE,エピタキシャル成長 / 量子ドット / 二波長発光 / 結合共振器構造 / ウエハ接合 |
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| 研究概要 |
テラヘルツ波発光半導体素子の実現に向けて、半導体多層膜結合共振器構造による二波長レーザ発振のための要素技術の確立を図った。GaAs(001)基板上において1.3μm近傍で発光する高品質な量子井戸中InAs量子ドットを活性層材料として得ることができ、二次非線光学効果のあるGaAs(113)B基板とのウエハ貼り合せを用いて多層膜結合共振器構造を作製した。共振器構造と二波長発光特性との関係を定量的に明らかにするとともに、光励起により二波長レーザ発振を確認し、また電流注入による二波長レーザ発振のための課題を明らかにし、その要素技術を確立した。
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