| 研究課題/領域番号 |
24656101
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
有馬 健太 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (10324807)
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| 連携研究者 |
佐野 泰久 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40252598)
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| 研究協力者 |
齋藤 直樹
森 大地
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | グラフェン / シリコンカーバイド / プラズマ処理 / ウェットエッチング / 超平坦表面 / 昇華法 / プラズマ酸化 / エピタキシャル成長 / 平坦化 / 表面 |
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| 研究成果の概要 |
次世代の電子材料であるグラフェンは、SiC表面上で容易に形成できるが、ピットが多いという欠点がある。これは、SiC表面上のC原子濃度が不足しているためである。
本研究では、室温近傍でのプラズマ酸化とウェットエッチングを併用することで、熱プロセスに頼ることなく、超平坦SiC表面上のSi原子を原子層レベルで選択的に除去する手法を見出した。
次に、この表面C原子濃度が高いSiC表面を真空中で加熱し、グラフェンを形成した。その結果、一連のプラズマ処理を行わなかった場合とは大きく異なり、500nm程度のテラス幅を持つSiC表面において、ピットがほとんど存在しないグラフェンを得ることができた。
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