| 研究課題/領域番号 |
24656196
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
本久 順一 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| 研究分担者 |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 半導体ナノワイヤ / 多孔質構造 / GaN / InGaN / プラズマ支援分子線エピタキシー / 選択成長 / 光支援電気化学エッチング / 光電極 / プラズマ支援分子線エピタキシー法 |
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| 研究概要 |
本研究ではまずRF支援分子線エピタキシー法を用いた選択成長法により、GaNおよびInGaN系ナノ構造の形成を試みた。6角柱錐形状のGaNナノ構造の形成に成功するとともに、選択成長用のマスク材料の変更によりナノワイヤが形成される可能性を示した。続いて、GaNの基本的な電気化学的特性を明らかにするとともに、光支援電気化学エッチングを用いて作製したGaN多孔質構造において、加工前の平坦GaN基板と比較し大きな光電流が流れることを明らかにした。以上により水素発生用材料としてのGaNナノ構造の有望性を示した。
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