| 研究課題/領域番号 |
24656200
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
鳥海 明 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50323530)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 遷移金属酸化物 / TiO2 / HFO2 / FET / VO2 / 金属・絶縁体転移 / 移動度 / 酸化物 / TFT / HFO |
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| 研究概要 |
TiO2 TFTに関しては、まず電界効果移動度が10cm2/Vsecを超え、電流を完全にカットオフできるTFTを実現できた。さらにTiO2のバンドギャップ以下の光において特徴的に電気伝導の増大が観測され、酸素処理で欠陥が大きく減少することが示された。VO2は単結晶TiO2上に成長したエピタキシャル成長させ、10nm以下ではクラックの無いきわめて均質なVO2膜が得られ、きわめてシャープな転移が得られた。またHfO2に関してはスパッタ時のArに焦点をあて、昇温脱離実験において二カ所のピークが現れ高温側のピークがcubic相からmonoclinic相への変化に対応していることがわかってきた。
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