| 研究課題/領域番号 |
24656204
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
徳光 永輔 北陸先端科学技術大学院大学, グリーンデバイス研究センター, 教授 (10197882)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | グラフェン / シリコンカーバイド / トランジスタ / 半導体コンタクト / 単極性動作 / SiC |
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| 研究概要 |
グラフェンは高い移動度を持つことから次世代電子デバイス応用への期待が高いが、バンドギャップが０であるために、正の電圧を印加しても負の電圧を印加しても電流の流れる両極性動作を示し、ドレイン電流のオンオフ比が大きくできないという問題点がある。本研究では、従来の金属にかわり半導体であるSiCをソース・ドレインに用いることにより、グラフェンチャネルトランジスタの単極性動作を実現し、３桁以上の大きなオンオフ比を得ることに成功した。大きなオンオフ比を得るためにはグラフェンとSiCの界面特性を改善することが重要との知見が得られた。
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