| 研究課題/領域番号 |
24656205
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 (2013)
京都大学 (2012) |
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研究代表者 |
野田 啓 慶應義塾大学, 理工学部, 講師 (30372569)
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| 連携研究者 |
和田 恭雄 元 東洋大学, 学際融合研究科, 教授 (50386736)
山田 啓文 京都大学, 工学研究科, 准教授 (40283626)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / 電荷ドーピング / キャリア濃度 / デバイスシミュレーション / 分子ドーピング |
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| 研究概要 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁（ショットキー障壁）を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ（電界効果移動度など）を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。
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