| 研究課題/領域番号 |
24656209
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任教授 (60315132)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
本研究では、電子・光・スピン機能を混載した多機能ハイブリッド集積回路の基盤となるテンプレート技術の構築を目指し、絶縁膜上におけるSi1-XGeX(0≦X≦1)単結晶の形成プロセスを創出した。
まず、SiGeの融点が組成に依存することを利用した逐次溶融成長法を開発し、絶縁膜上に組成の異なるSiGeテンプレートの多段構造を実現した。次に、SiGe偏析現象を制御し、平面内でSiGe 組成が傾斜的に変化するテンプレートを実現した。Siプラットフォーム上に於ける新機能材料混載の基盤技術として期待される成果である。
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