| 研究課題/領域番号 |
24656220
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
内田 紀行 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (60400636)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | 原子層シリサイド半導体 / キャリアドーピング / エピタキシャル成長 / 超薄膜 / シリサイド半導体 / ナノエレクトロニクス / 2次元キャリア輸送特性 / 半導体金属接合 / 遷移金属内包シリコンクラスター / 半導体ヘテロ接合 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、Si表面上でタングステン内包Siクラスター（WSin）を単位構造とする原子層シリサイド半導体を形成し、WSinの性質を利用することで、Siナノエレクトロニクスの革新的な要素技術の開発を行った。そのために、WSin層の2次元的なキャリア輸送特性を評価し、WSin層が、わずか1nmの厚みで、6.5×1019 cm-3の電子密度と8.8cm2/Vsの移動度を持つ原子層シリサイド半導体材料であることを実証した。また、WSin膜の産業展開を目指し、熱CVD法による合成を実証した。
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