| 研究課題/領域番号 |
24656232
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
松村 道雄 大阪大学, 太陽エネルギー化学研究センター, 教授 (20107080)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 気相エッチング / 微細加工 / シリコン / 触媒 / エッチング / 金属触媒 |
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| 研究概要 |
金属を触媒としたSiの気相エッチング反応を確認するとともに、その原理を示した。反応は、フッ酸ガスを含む空気中において、触媒金属膜を堆積させたSi基板を100℃程度に加熱して行った。Auを触媒膜に用いた場合には、Si原子がAu層を透過して膜表面においてAuの触媒作用により酸化エッチングされて孔が形成される。Pdを触媒とした場合には、PdとSiが合金層を形成し、その表面でエッチングが進行する。この合金層の形成が等方的に起こるために、触媒のPdのサイズが小さい場合には、孔が広がる特徴がある。異種金属を組み合わせた触媒膜を用いると、触媒作用に違いにより円弧状の孔形成が起こることも見出した。
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