| 研究課題/領域番号 |
24656250
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
枦 修一郎 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (90324285)
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| 研究分担者 |
石山 和志 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (20203036)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | アモルファス磁歪薄膜 / 磁気異方性 / 逆磁歪効果 / 歪センサ |
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| 研究概要 |
本研究では、熱膨張係数の異なる非磁性薄膜（Mo）と軟磁性アモルファス磁歪薄膜（FeSiB）を組合せた積層構造膜において、熱処理時の熱膨張差により層間に生じる応力と、磁歪薄膜特有の逆磁歪効果を利用した磁性薄膜の一軸磁気異方性誘導の制御方法とその高感度歪センサ実現の可能性について検討を行った。
いずれの構造においても、下地に用いた短冊形状のMo膜のアスペクト比が大きいほど、またMo膜の膜厚が厚くなるほどFeSiB膜の誘導される磁気異方性は大きくなることが明らかとなった。またリング形状の積層構造の場合、リング中心から放射状に磁気異方性が誘導されることが観察された。
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