太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色ＬＥＤ

• 研究課題/領域番号: 24686003
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 一部基金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 25,350千円 (直接経費: 19,500千円、間接経費: 5,850千円); 2014年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円); 2013年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円); 2012年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
• キーワード: 白色LED / 貼りあわせ技術 / プラズモン / ナノ構造 / 光取り出し効率 / 緑色LED / 貼り合わせ技術 / その場観察 / GaInN / ITO / 基板剥離 / GaN / 多層膜反射鏡 / LED / Moth-eye構造 / トンネル接合 / 貼り合わせ / ブロードスペクトル / ナノ金属 / アンチモン / レーザ剥離技術 / 不純物の添加 / ナノ粒子

研究成果の概要

本研究では、窒化物半導体による蛍光体フリーの白色LEDの実現に向け研究を進めた。具体的には①発光強度を高めると同時にブロード発光を実現するための手法の開拓、②Moth-eye構造や多層膜反射鏡技術などの光制御技術および③光/電子透過型・貼り合わせ技術を活用するの3つを検討した。各項目の結果は以下の通りである。
①窒化物半導体LEDのうち高効率化ができていない緑色領域においてAg微粒子を用いることによってプラズモン効果による発光強度の増大が確認できた。②Moth-eye構造や多層膜反射鏡を用いることによって光取り出し効率の改善が確認できた。③直接およびITOを用いた貼りあわせ技術の開拓を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 401 巻: 401 ページ: 367-371
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] Laser lift-off technique for freestanding GaN substrate using an In droplet formed by thermal decomposition of GaInN and its application to light-emitting diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: Daisuke Iida, Syunsuke Kawai, Nobuaki Ema, Takayoshi Tsuchiya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 105 号: 7 ページ: 072101-072101
  • DOI: 10.1063/1.4893757
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity (2013)
  • 著者名/発表者名: Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi RRL 7 巻: 7 号: 3 ページ: 215-217
  • DOI: 10.1002/pssr.201206483
  • 査読あり
• [雑誌論文] Trench-Shaped Defects on AlGaInN Quantum Wells Grown under Different Growth Pressures (2013)
  • 著者名/発表者名: Tomoyuki Suzuki, Mitsuru Kaga, Kouichi Naniwae, Tsukasa Kitano, Keisuke Hirano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 82 号: 8S ページ: 08JF02-08JF02
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jf02
  • NAID: 210000142621
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier Injections in Nitride-Based Light Emitting Diodes Including Two Active Regions with Mg-Doped Intermediate Layers (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenjo Matsui, Koji Yamashita, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tomoyuki Suzuki, Tetsuya Takeuch, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 82 号: 8S ページ: 08JG02-08JG02
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jg02
  • NAID: 210000142677
  • 査読あり
• [雑誌論文] Combination of Indium–Tin Oxide and SiO2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: Tsubasa Nakashima, Kenichiro Takeda, Hiroshi Shinzato, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 82 号: 8S ページ: 08JG07-08JG07
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jg07
  • NAID: 210000142682
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouji Yamashita, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 82 号: 8S ページ: 08JH07-08JH07
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jh07
  • NAID: 210000142699
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on Efficiency Component Estimation of 405 nm Light Emitting Diodes from Electroluminescence and Photoluminescence Intensities (2013)
  • 著者名/発表者名: Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 82 号: 8S ページ: 08JL16-08JL16
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jl16
  • NAID: 210000142741
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth (2013)
  • 著者名/発表者名: D. Iida, Y. Kondo, M. Sowa, T. Sugiyama, M. Iwaya, I. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi RRL 巻: 7 号: 3 ページ: 211-214
  • DOI: 10.1002/pssr.201307023
  • 査読あり
• [雑誌論文] Laser lift-off of AIN/sapphire for UV light-emitting diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: H Aoshima, K. Takeda, K. Takehara. S. Ito, M. Mori、M Iwaya, T. Takeuchi. S. Kamiyama, I. Akasaki, R Amano
  • 雑誌名: physica status solidi C 巻: 9 号: 3-4 ページ: 753-75
  • DOI: 10.1002/pssc.201100358
  • 査読あり
• [雑誌論文] Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emit Diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Takehara, K. Takeda, S. Ito, H. Aoshiia. M. Iwaya. T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 4R ページ: 42101-1
  • DOI: 10.1143/jjap.51.042101
  • NAID: 210000140419
  • 査読あり
• [雑誌論文] White light-emitting diode based on fluorescent SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, R. Yakimova, M. Syvajarvi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 522 ページ: 23-25
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2012.02.017
  • 査読あり
• [学会発表] In-situ x-ray diffraction analysis for MOVPE growth of nitride semiconductors (2015)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Koji Ishihara, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: San Fransisco, USA
  • 年月日: 2015-02-07 – 2015-02-12
  • 招待講演
• [学会発表] Laser lift-off technique for freestanding GaNsubstrate using an In droplet formed by thermaldecomposition of GaInN and its application to LED (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Syunsuke Kawai, Nobuaki Ema, Takayoshi Tsuchiya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-14 – 2014-12-19
• [学会発表] Lattice relaxation process in GaInN/GaN heterostructure system as function of dislocation density in underlying GaN layer (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Koji Ishihara, Taiji Yamamoto, Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Hiroyuki Matsubara, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Band Gap Semiconductors
  • 発表場所: Bath, UK
  • 年月日: 2014-08-22 – 2014-08-24
  • 招待講演
• [学会発表] Dislocation density dependence of the critical thickness in GaInN/GaN heterostructure (2014)
  • 著者名/発表者名: Taiji Yamamoto, Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Hiroyuki Matsubara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-13 – 2014-07-18
  • 招待講演
• [学会発表] Activation Energy of Extremely Low-Resistivity and High-Carrier-Concentration Si-Doped AI0.05Ga0.95N (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Atlanta, USA
  • 年月日: 2014-05-18 – 2014-05-22
• [学会発表] Fabrication of Multi-junction GaInN-Based solar cell (2014)
  • 著者名/発表者名: Hironori Kurokawa, Mitsuru Kaga, Tomomi Goda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2014
  • 発表場所: Montpellier, France
  • 年月日: 2014-05-11 – 2014-05-15
• [学会発表] Nitride-Based Light Emitting Diodes with Buried Tunnel Junctions (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Ino, Y. Kuwano, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14
  • 発表場所: Yokohama
  • 年月日: 2014-04-22 – 2014-04-24
• [学会発表] Study of High-Reflective Ag-Based Electrode on p-Type GaN (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kawai, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14
  • 発表場所: Yokohama
  • 年月日: 2014-04-22 – 2014-04-24
• [学会発表] Realization of the high conversion efficiency solar cells using high InN molar fraction GaInN active layer (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Hironori Kurokawa, Yosuke Katsu, Taiji Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2014
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] High reflective and low resistive silver electrode on p-GaN (2014)
  • 著者名/発表者名: Shunsuke Kawai, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: ISPlasma
  • 発表場所: Nagoya, Japan
• [学会発表] Observation of group III nitride semiconductors by in situ X-ray diffraction monitoring during MOVPE growth (2014)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Daisuke Iida, Mihoko Sowa, Yasunari Kondo, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: International Conference on Materials and Characterization Techniques
  • 発表場所: Vellore, India
  • 招待講演
• [学会発表] p型GaN上のAg電極を用いた高反射電極の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 河合俊介，飯田大輔，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] III族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED (2014)
  • 著者名/発表者名: 森田隆敏，井野匡貴，桑野侑香，渡邉雅大，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 石原耕史，近藤保成，松原大幸，飯田大輔，山本泰司，曽和美保子，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] Direct Evidence of Electron Overflow by Monitoring Emissions from Second Active Region in Nitride-Based Blue LEDs (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Hayashi, K. Matsui , T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13
  • 発表場所: Yokohama
• [学会発表] Nitride-Based p-Side Down LEDs on Tunnel Junction (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13
  • 発表場所: Yokohama
• [学会発表] Observation of GaInN/GaN Superlattice Structures by In Situ X-ray Diffraction Monitoring during Metalorganic Vapor-Phase Epitaxial Growth (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Yamamoto, D. Iida, Y. Kondo, M. Sowa, S. Umeda, T. Kato, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13
  • 発表場所: Yokohama
• [学会発表] Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions (2013)
  • 著者名/発表者名: D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T.Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2013
  • 発表場所: Taiwan
• [学会発表] In situ X-ray diffraction monitoring of OMVPE GaInN/GaN superlattice growth (2013)
  • 著者名/発表者名: Taiji Yamamoto, Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Shinya Umeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • 学会等名: The 19th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Keystone, USA
• [学会発表] In situ X-ray diffraction monitoring of GaInN growth by metalorganic vapor phase epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Shinya Umeda, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • 学会等名: 7th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Warsaw, Poland
• [学会発表] Extreme Low-Resistivity and High-Carrier-Concentration Si-Doped Al0.05Ga0.95N (2013)
  • 著者名/発表者名: Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Realization of the High Conversion Efficiency Solar Cells using Nitride Semiconductors (2013)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Yasushi Kurokawa, Yosuke Katsu, Taiji Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
  • 学会等名: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
  • 招待講演
• [学会発表] GaNSb Alloys Grown by Low Temperature Metalorganie Vapor Phase Epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Tornoyuki Suzuki, Hiroki Sasajima, Yuuko Matsubara, Yugo Kozuka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Karniyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Stable Balance of Emission Intensities from Two Active Regions in Nitride Semiconductor-Based Light Emitting Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenjo Matsui, Koji Yamashita, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Tomoyuki Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Advantages of the Moth-Eye Patterned Sapphire Substrate for the High Perfortnance Nitride Based LEDs (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshiyuki Kondo, Tsukasa Kitano, Atsushi Suzuki, Midori Mori, Koichi Naniwae, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 10th International Conference of Nitride Semiconductors, Washington DC
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Moth-eye Patterned Sapphire Substrate technology for cost effective high performance LED (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshiyuki Kondo, Tsukasa Kitano, Atsushi Suzuki, Midori Mori, Koichi Naniwae, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi , Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn (2013)
  • 著者名/発表者名: Shinya Umeda, Takahiro Kato, Tsukasa Kitano, Toshiyuki Kondo, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Externally high sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Ishiguro, M. Mizuno, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: 3rd International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers
  • 発表場所: Prague, Czech Republic
• [学会発表] In situ X-ray diffraction monitoring of group III nitride growth by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Hironori Kurokawa, Yosuke Katsu, Taiji Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • 学会等名: Workshop on Ultra-Precision Processing for III-Nitride
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
  • 招待講演
• [学会発表] 窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学
  • 招待講演
• [学会発表] その場観察X線回折法によるGaInN/GaN超格子構造の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山本泰司, 飯田大輔, 近藤保成, 曽和美保子, 梅田慎也, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学
• [学会発表] 表面プラズモンカップリングを利用した緑色LEDの内部量子効率の向上 (2013)
  • 著者名/発表者名: 飯田大輔、Yuntian Chen、Yiyu Ou、Ahmed Fadil、Oleksii Kopylov、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、Haiyan Ou
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学
• [学会発表] トンネル接合を有する青色マイクロLED の電流電圧特性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 中島啓介, 渡邉雅大 , 加賀 充 , 鈴木智行 , 南川大智, 竹内哲也, 上山 智 , 岩谷素顕, 赤崎 勇
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学
• [学会発表] 新規GaNSb混晶の作製とGaSbモル分率成長温度依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 笹島浩希, 鈴木智行, 松原由布子, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学
• [学会発表] トンネル接合を活用した窒化物半導体多接合太陽電池の作製 (2013)
  • 著者名/発表者名: 黒川泰視，合田智美，加賀充，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，天野浩
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] GaNSb混晶GaSbモル分率のSb/N比依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 笹島 浩希，鈴木 智行，松原 由布子，竹内 哲也，上山 智，岩谷 素顕，赤﨑 勇
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] 新規GaNSb混晶の作製及び高GaSbモル分率に向けた検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 笹島浩希，鈴木智行，松原由布子，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤崎勇
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 長野
• [学会発表] Influence of growth interruption on performance of nitride-based blue LED (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Aoyama, A. Suzuki. I. Kitano, N. Sone. S. Kamiyama. T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonic west 2013
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [学会発表] Introduction of the Moth-eye patterned sapphire substrate technology for cost effective high-performance LED (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Naniwae, M. Mori, T. Kondo, A. Suzuki, T. Kitano, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi. I. Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonic west 2013
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [学会発表] Fabrication of moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS) and influence of height of corns on the performance of blue LEDs on MPSS (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Mizutani, S. Nakashima, M. Iwaya. T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Matsubara
  • 学会等名: SPIE Photonic west 2013
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [学会発表] GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 (2013)
  • 著者名/発表者名: 森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎 勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] GaN低温成長におけるSb添加の効果 (2013)
  • 著者名/発表者名: 鈴木智行、笹島浩希、松原由布子、加賀 充、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤崎勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] LED構造上GaNトンネル接合の低抵抗化 (2013)
  • 著者名/発表者名: 南川大智、加賀 充.岩谷素顕.竹内哲也、上山 智、赤崎勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] ナノELOによるm面GaInN厚膜の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 小崎桂矢、近藤真一郎、土屋貴義、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤崎 勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] MOVPEにより作製したGaInN/GaN超格子構造のその場観察X線回折法による評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山本秦司、飯田大輔.近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也.上山 智,赤崎 勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN量子井戸の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 飯田大輔、Yuntian Chen、Yiyu Ou、Ahmed Fadil, Oleksii Kopylov、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、Haiyan Ou
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] モスアイ加工サファイア基板によるLEDの光取り出し効率の改善 (2013)
  • 著者名/発表者名: 上屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、河合俊介、近藤俊行、北野 司、森みどり、鈴木敦志、赤崎 勇、関根 均、難波江宏一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] 横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 桑野佑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智,赤崎 勇
  • 学会等名: 第60回応用物瑾学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] 窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 松井健城、山下浩司、加賀 充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤崎 勇
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] 基板・半導体層のナノ加工と半導体デバイスへの応用 (2012)
  • 著者名/発表者名: 岩谷 素顕
  • 学会等名: 日本機械学会 情報・知能・精密機器部門 分科会 第1回「窒化物半導体デバイスに関わる超精蚤加工プロセス研究会」発会記念 特別講演会
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2012-05-30
• [学会発表] Observation of GaInN strain relaxation using in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth (2012)
  • 著者名/発表者名: I Iwaya, D. Iida, D. Tanaka, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Pusan, Korea
• [学会発表] Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Kaga, K. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
  • 学会等名: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Pusan, Korea
• [学会発表] Microstructure of AIGaN on Low-Dislocation Density AIN Underlying Layer Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth (2012)
  • 著者名/発表者名: K Ide. J. Yamamoto, M. Iwaya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, I. Akasaki, and H Amano
  • 学会等名: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Pusan, Korea
• [学会発表] Observation of GaInN strain relaxation by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapour phase epitaxy growth (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
  • 学会等名: 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kondo, D. Iida, T. Sugiyama. M. Sowa, H. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
  • 学会等名: 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Strain Relaxation Mechanism in GaInN/GaN Heterostructure Characterized by in situ X-ray Diffraction Monitoring During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama. and l. Akasaki
  • 学会等名: 39th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
• [学会発表] Realization of high efficiency nitride-based solar cells (2012)
  • 著者名/発表者名: I Iwaya, M. Mori, S. Kondo, S. Yamamoto, T. Nakao. T. Fujii, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, E Amano
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Optimization of crystalline quality of GaN using low temperature buffer layer by in situ X-ray diffraction monitoring (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Tanaka, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] AIN mole Fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AIGaN heterostructures (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I.Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by situ X-ray diffraction measurement (2012)
  • 著者名/発表者名: . Kondo, D. Iida, T. Sugiyama, H. Matsubara, M. Sowa, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Strain relaxation mechanism in GaInN/GaN heterostructure characterized by in XRD monitoring during growth and ex situ measurements (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Matsubara. D. Iida, T. Sugiyama, Y. Kondo, M. Sowa, S. Umeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Study on efficiency component estimation by electroluminescence and photoluminescense intensities (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Aoyama, A. Suzuki, T. Kitano, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Combination of ITO and Si02/AIN dielectric multilayer reflective electrodes for light-emitting diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: T.Nakashima, I Takeda. Y. Matsubara, M. lwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two actiregions with Mg-doped intermediate layers (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Matsui, K. Yamashita, M. Kaga, T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Microstructure analysis of AIGaN on underlying layers with different thread dislocation densities (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Ide, Y. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Umeda, T. Kato, T. Kitano, T. Kondo, H. Matsubara, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Analysis of crystal growth on group III nitrides by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 2012 International Symposium on Crystal Growth
  • 発表場所: Soul, Korea
• [学会発表] Observation group III nitrides semiconductors by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth (2012)
  • 著者名/発表者名: Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: 2012 Collaboractive Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Orland, USA
• [学会発表] 膜厚変化に伴うGaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 松原大幸,飯田大輔、杉山 徹、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
  • 学会等名: 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎 勇
  • 学会等名: 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 梅田慎也、加藤嵩裕、北野 司、近藤俊行、松原大幸、上山 智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎 勇
  • 学会等名: 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] GaInN量子井戸へのAI添加によるAlGalnN量子井戸の作製と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 鈴木智行、加賀充、北野 司、難波江宏一、平野敬祐、竹内哲也、上山 智、岩谷 素、赤崎 勇
  • 学会等名: 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚 (2012)
  • 著者名/発表者名: 近藤保成、飯田大輔、杉山 徹、曽和美保子、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
  • 学会等名: 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)2012
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 安田俊輝,矢木康太,鈴木智行,中嶋 翼,渡邉雅大、竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] GaInN/GaNヘテロ接合におけるミスフィット転位の観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 松原大幸,飯田大輔.杉山徹,近藤保成,曽和美保子,梅田慎也,岩谷素顕,竹内哲也、上山 智.赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] AIGaN/AINにおける下地AIN転位密度依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 井手公康,松原由布子,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] ITOとSi02/AIN誘電体多層膜を組み合わせた電極による350nm紫外LEDの高効率化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 中嶋 翼,竹田健一郎,新里紘史,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検115 (2012)
  • 著者名/発表者名: 松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED (2012)
  • 著者名/発表者名: 森田隆敏,加賀 充,桑野侑香,松井健城,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] 100チャンネル10μm径マイクロLEDアレイの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渡邉雅大,山下浩司,加賀 充,鈴木智行,森田隆敏,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] ELとPLを組み合わせたLED効率成分の導出方法の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 青山和樹,鈴木敦志,北野 司,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
  • 学会等名: 第73回応用物理学会講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] 窒化物半導体太陽電池の高効率化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 福岡
• [学会発表] サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 (2012)
  • 著者名/発表者名: 土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、近藤俊行、北野司、森みどり、鈴木敦志、難波江宏一、関根 均、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎 勇
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
  • 発表場所: 大阪
• [学会発表] n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
  • 発表場所: 大阪
• [学会発表] モスアイ加工サファイア基板を用いた窒化物系LEDの性能向上検討
  • 著者名/発表者名: 曽和美保子, 北野司, 近藤俊行, 森みどり, 鈴木敦志, 難波江宏一,上山智, 岩谷素顕, 竹内哲也, 赤﨑勇
  • 学会等名: 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013
  • 発表場所: 名古屋大学
• [図書] 第3章第1節"MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム" (2012)
  • 著者名/発表者名: 岩谷素顕
  • 総ページ数: 8
  • 出版者: サイエンスアンドテクノロジー