| 研究課題/領域番号 |
24686008
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
細井 卓治 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (90452466)
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| 連携研究者 |
渡部 平司 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90379115)
志村 考功 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (90252600)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
26,780千円 (直接経費: 20,600千円、間接経費: 6,180千円)
2014年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2013年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2012年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
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| キーワード | SiC / パワーデバイス / ゲート絶縁膜 / ショットキー接合 / MOSFET / MOSトランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
SiC特有の動作原理に基づく低損失SiCパワーMOSトランジスタの創製を目的とし、そのための技術課題として金属/SiC界面の接合特性とMOS界面特性の制御に取り組んだ。まずデバイスシミュレーションにより、良好なデバイス動作の実現には金属/SiC接合のショットキー障壁高さを0.3 eV以下にする必要があることを示した。次に、4H-SiCの電子親和力（3.6 eV）よりも真空仕事関数の低いBaを電極材料として検討したところ、Baの反応性の高さに起因する特性変動が激しく評価そのものが困難であったが、Ba層を薄膜化しAlキャップ層を積層することで仕事関数3.1 eVで安定した電極構造を実現した。
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