| 研究課題/領域番号 |
24686040
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2014)
東京大学 (2012-2013) |
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研究代表者 |
PHAN Namhai (PHAM NAM HAI / PHAM NAM・HAI) 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (50571717)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
27,040千円 (直接経費: 20,800千円、間接経費: 6,240千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2013年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2012年度: 16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
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| キーワード | 強磁性半導体 / 量子効果 / スピントロ二クス / キャリア誘起強磁性 / スピントランジスタ / Fe-As |
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| 研究成果の概要 |
本研究では半導体スピンデバイスの応用に向けて、鉄系キャリア誘起強磁性半導体材料とそれを用いた次世代スピンデバイスの基盤技術を確立することを目標として、研究開発を行った。その結果、次の主な成果が得られた。（１）世界初ｎ型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asの作製に成功した。 (2)(In,Fe)As量子井戸における量子サイズ効果の観測および波動関数制御による強磁性変調の世界初の実証に成功した。 (3)新しいｐ型強磁性半導体(Ga,Fe)Sbの作製に成功した。(4)(Ga,Fe)Sb強磁性半導体において、世界最高のキュリー温度(230 K)を達成した。
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