実用化に向けて相変化メモリにおける高速高信頼性多値記録に関する研究

• 研究課題/領域番号: 24686042
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 一部基金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 群馬大学
• 研究代表者: イン ユウ 群馬大学, 理工学研究科, 助教 (10520124)
• 研究協力者: 保坂 純男 ; 張 玉龍 ; 岩下 翔太
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 26,130千円 (直接経費: 20,100千円、間接経費: 6,030千円); 2015年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2014年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2013年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円); 2012年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
• キーワード: 不揮発性メモリ / 多値記録 / カルコゲナイド / 制御 / 結晶化 / アモルファス化 / 相変化メモリ / 高速 / 不揮発メモリ / 高信頼性 / 新相変化材料 / パルス工学 / 材料工学 / バラツキ

研究成果の概要

実用化に向けて相変化メモリにおける多値記録を研究した。多値記録に適する新しいカルコゲナイド材料を開発した。従来のカルコゲナイドへのN添加により、温度に対して薄膜の抵抗率が広範囲で緩やかに変化させることに成功した。Nを添加したSb2Te3相変化材料等を用いた素子を試作し、16値の多値記録を実証した。Ge1Sb4Te7素子において、27値の多値記録と6値の多値記録の繰り返しに成功した。GeTe素子において、nsオーダーでの高速動作を実証し、多値記録の可能性を検討した。また、階段状パルス制御法を用いて高信頼性多値記録を研究した。

研究成果

• [国際共同研究] Zhejiang University(中国)
• [国際共同研究] KAIST(韓国)
• [国際共同研究] UESTC(中国)
• [国際共同研究] KAIST(韓国)
• [雑誌論文] Ultra-multiple and reproducible resistance levels based on intrinsic crystallization properties of Ge1Sb4Te7 film (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Iwashita, S. Hosaka, T. Wang, J. Li, Y. Liu, and Q. Yu
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci. 巻: 369 ページ: 348-353
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.02.057
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Sub 10 ns fast switching and resistance control in lateral GeTe-based phase-change memory (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, Y. Zhang, Y. Takehana, R. Kobayashi, H. Zhang, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 55 号: 6S1 ページ: 06GG07-06GG07
  • DOI: 10.7567/jjap.55.06gg07
  • NAID: 210000146629
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] The Dependence of Crystallization on Temperature in the Nanosecond Timescale for GeTe-based Fast Phase-Change Resistor (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Zhang, Y. Zhang, Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Chemical Physics Letters 巻: 650 ページ: 102-106
  • DOI: 10.1016/j.cplett.2016.03.002
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Hierarchically Self-Assembled Block Copolymer Blends for Templating Hollow Phase-change Nanostructures with an Extremely Low Switching Current (2015)
  • 著者名/発表者名: W. I. Park, J. M. Kim, J. W. Jeong, Y. H. Hur,Y. J. Choi, S.-H. Kwon,S. Hong, Y. Yin, Y. S. Jung, and K. H. Kim
  • 雑誌名: Chemistry of Materials 巻: 27 号: 7 ページ: 2673-2677
  • DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b00542
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Flexible one diode-one phase change memory array enabled by block copolymer self-assembly (2015)
  • 著者名/発表者名: B. Mun, B. You, S. Yang, H. Yoo, J. Kim, W. Park, Y. Yin, M. Byun, Y. Jung, and K. Lee
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 9 号: 4 ページ: 4120-4128
  • DOI: 10.1021/acsnano.5b00230
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Oxygen-doped Sb2Te3 for high-performance phase-change memory (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Morioka, S. Kozaki, R. Satoh, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci. 巻: 349 ページ: 230-234
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.04.229
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Localization of Joule heating in phase-change memory with incorporated nanostructures and nanolayer for reducing reset current (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and T. Wang
  • 雑誌名: IEEE Trans. Electron Devices 巻: 62 号: 7 ページ: 2184-2189
  • DOI: 10.1109/ted.2015.2429689
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] TiSiN films by reactive RF magnetron co-sputtering for ultra-low-current phase-change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Applied Mechanics and Materials 巻: 392 ページ: 702-706
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amm.392.702
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electron beam lithography for fabrication of nano phase-change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Itagawa, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Applied Mechanics and Materials 巻: 481 ページ: 30-35
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amm.481.30
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Ultra-multilevel-storage phase‐change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 936 ページ: 599-602
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amr.936.599
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Controlled crystallization process of phase-change memory device by a separate heater structure (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 596 ページ: 107-110
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.596.107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Recrystallization process controlled by staircase pulse in phase change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. Kobayashi, S. Hosaka
  • 雑誌名: Microelectron. Eng, 巻: 113 ページ: 61-65
  • DOI: 10.1016/j.mee.2013.07.009
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of a separate heater structure for crystallisation to enable multilevel storage phase-change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: R. I. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Int. J. of Nanotechnology 巻: 11 号: 5/6/7/8 ページ: 389-395
  • DOI: 10.1504/ijnt.2014.060556
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Multi-level storage in lateral phase-change memory : from 3 to 16 resistance levels (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, R. Kobayashi, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 534 ページ: 131-135
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.534.131
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-assembled incorporation of modulated block copolymer nanostructures in phase-change memory for switching power reduction (2013)
  • 著者名/発表者名: W. I. Park, B. K. You, B. H. Mun, H. K. Seo, J. Y. Lee, S. Hosaka, Y. Yin, C. Ross, K. J. Lee, Y. S. Jung
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 7 号: 3 ページ: 2651-2658
  • DOI: 10.1021/nn4000176
  • 査読あり
• [雑誌論文] Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka, W. I. Park, Y. S. Jung, K. J. Lee, B. K. You, Y. Liu, and Q. Yu
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 103 号: 3 ページ: 0331161-5
  • DOI: 10.1063/1.4816080
  • 査読あり
• [雑誌論文] Volume-change-free GeTeN film for high-performance phase-change memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, H. Zhang, S. Hosaka, Y. Liu, and Q. Yu
  • 雑誌名: J. Phys. D: Appl. Phys. 巻: 46 号: 50 ページ: 5053111-5
  • DOI: 10.1088/0022-3727/46/50/505311
  • 査読あり
• [雑誌論文] A novel phase-change memory with a separate heater characterized by constant resistance for multilevel storage (2013)
  • 著者名/発表者名: R. I. Alip, R. Kobayashi, Y. Zhang, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 534 ページ: 136-140
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.534.136
  • 査読あり
• [雑誌論文] Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 51 号: 6R ページ: 0641011-4
  • DOI: 10.1143/jjap.51.064101
  • NAID: 40019317143
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-reset current ring confined-chalcogenide phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin and S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 51 号: 10R ページ: 1042021-5
  • DOI: 10.1143/jjap.51.104202
  • NAID: 40019455840
  • 査読あり
• [雑誌論文] Material engineering for low power consumption and multi-level storage in lateral phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 490-495 ページ: 3286-3290
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amr.490-495.3286
  • 査読あり
• [雑誌論文] Controlled promotion of crystallization for application to multilevel phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 100 号: 25 ページ: 2535031-4
  • DOI: 10.1063/1.4730439
  • 査読あり
• [学会発表] Advanced Nanofabrication and its Application to Nano Phase-Change Memory for Reducing Writing Current (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, D. Nishijo, K. Sawao, K. Ohyama, T. Akahane, T. Komori, M. Huda, H. Zhang, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2016)
  • 発表場所: Hangzhou, China
  • 年月日: 2016-10-28
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Fast switching and resistance control in chalcogenide-based memory device (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin and S. Hosaka
  • 学会等名: The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2016)
  • 発表場所: San Sebastian, Spain
  • 年月日: 2016-09-04
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Resistance Control for Multilevel Storage in Phase-Change Memory by Pulse Engineering (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin and S. Hosaka
  • 学会等名: The 7th IEEE international Nanoelectronics Conference 2016 (INEC 2016)
  • 発表場所: Chengdu, China
  • 年月日: 2016-05-09
  • 国際学会
• [学会発表] Multilevel Storage in Lateral Phase-Change Memory (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin
  • 学会等名: 2016 International Workshop on Information Storage / 10th International Symposium on Optical Storage (IWIS/ISOS 2016)
  • 発表場所: Changzhou, Jiangsu
  • 年月日: 2016-04-10
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Multilevel Storage in Lateral Phase-Change Memory (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin
  • 学会等名: 2016 International Workshop on Information Storage / 10th International Symposium on Optical Storage (IWIS/ISOS 2016)
  • 発表場所: Changzhou, China
  • 年月日: 2016-04-10
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Nano Phase-Change Memory Array (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin
  • 学会等名: 3rd International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 8th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: kiryu, Japan
  • 国際学会
• [学会発表] Crystal growth control in chalcogenide and its application to multilevel storage in phase-change memory (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin
  • 学会等名: The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)
  • 発表場所: Hongkong
  • 年月日: 2015-12-14
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Sub 10 ns Fast Switching and Resistance Control in Lateral GeTe-Based Phase-Change Memory (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, Y. Zhang, Y. Takehana, R. Kobayashi, H. Zhang and S. Hosaka
  • 学会等名: 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015)
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2015-11-10
  • 国際学会
• [学会発表] Nanosecond-Order Fast Switching and Ultra-Multilevel Storage in Lateral GeTe and Ge1Sb4Te7-Based Phase-Change Memories (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: The 11th International Conference on ASIC (ASICON 2015)
  • 発表場所: Chengdu, China
  • 年月日: 2015-11-03
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory with Incorporated Insulating Nanostructures and Nanolayer for Ultralow Operation Current (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: the International Conference on Nanoscience and Technology, China 2015 (ChinaNANO 2015)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2015-09-03
  • 国際学会
• [学会発表] Oxygen-Doped Sb2Te3 for Low-Power-Consumption Phase-Change Memory (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Morioka, R. Satoh, S. Kozaki, S. Hosaka
  • 学会等名: 8th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2015)
  • 発表場所: Suntec, Singapore
  • 年月日: 2015-06-28
  • 国際学会
• [学会発表] Ultrahigh-density Multilevel-storage Nano Phase-change Memory Array (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 学会等名: 8th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2015)
  • 発表場所: Suntec, Singapore
  • 年月日: 2015-06-28
  • 国際学会
• [学会発表] N-doped GeTe Chalcogenide Film for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Kiryu, Japan
  • 年月日: 2014-12-05
• [学会発表] Low-Reset-Current Ring-Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Kiryu, Japan
  • 年月日: 2014-12-05
• [学会発表] Ge1Sb2Te4-based N-doped Chalcogenide for Application to Multi-Level-Storage Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Kiryu, Japan
  • 年月日: 2014-12-05
• [学会発表] Characterization of N-Doped GeTe Films and Their Applications to High-Performance Nano Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
  • 発表場所: Fukuoka, Japan
  • 年月日: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [学会発表] Ge1Sb4Te7 Ultra-Multi-Level Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
  • 学会等名: 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
  • 発表場所: Fukuoka, Japan
  • 年月日: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [学会発表] Ultrasmall-Volume-Change Chalcogenide for Performance Improvement of Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014)
  • 発表場所: Guilin, China
  • 年月日: 2014-10-28 – 2014-10-31
• [学会発表] Ultramultiple-level storage in Ge1Sb4Te7-based phase-change memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 40th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2014)
  • 発表場所: Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-09-23 – 2014-09-26
• [学会発表] Multilevel Storage and its Cycling in Ge1Sb4Te7 Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
  • 学会等名: The International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-10
• [学会発表] Modification of GeTe Chalcogenide by N-doping for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 3rd International Conference on Advanced Materials and Practical Nanotechnology (3rd ICAMPN)
  • 発表場所: Jakarta, Indonesia
  • 年月日: 2014-08-15 – 2014-08-16
• [学会発表] Ultra-Multilevel-Storage Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2014 International Conference on Materials Science and Engineering Technology (MSET 2014)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2014-07-28 – 2014-07-29
• [学会発表] N-doped GeTe for High-Performance Phase-Change Memory (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 23rd Australian Conference on Microscopy and Microanalysis (ACMM23) and the International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2014)
  • 発表場所: Adelaide, Australia
• [学会発表] Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 23rd Australian Conference on Microscopy and Microanalysis (ACMM23) and the International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2014)
  • 発表場所: Adelaide, Australia
• [学会発表] Low Volume-Change High- Crystallization-Temperature Phase-Change Material for High-Performance Phase-Change Memory by N-Doping into GeTe (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, California
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2013-04-02
• [学会発表] Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels in GeTe-Based Lateral Phase Change Memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, Y. Zhang, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, California
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2013-04-02
• [学会発表] Nano-contact phase-change memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 5th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Kiryu, Gunma, Japan
• [学会発表] Electron Beam Lithography for Fabrication of Nano Phase-Change Memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Itagawa, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies (ISQNM 2013)
  • 発表場所: Singapore
• [学会発表] Staircase pulse programming for recrystallization control in phase-change memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. Kobayashi, Y. Zhang, R. I. Alip, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 39th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2013)
  • 発表場所: London, UK
• [学会発表] TiSiN Films by Reactive RF Magnetron Co-Sputtering for Ultra-Low-Current Phase-Change Memory (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 5th International Conference on Mechanical and Electrical Technology (ICMET 2013)
  • 発表場所: Chengdu, China
• [学会発表] Fast Operation and Resistance Control in GeTe Based Lateral Phase Change Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (XMDE)
  • 発表場所: Gunma, Japan
  • 年月日: 2012-12-07
• [学会発表] Controlled Crystallization Process of Phase-change Memory device by a Separate Heater Structure (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Gunma, Japan
  • 年月日: 2012-12-07
• [学会発表] Current-driven crystallization promotion for multilevel storage ill phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. I. Alip, and S. Hosaka
  • 学会等名: The 24th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS 2012)
  • 発表場所: Shizuoka, Japan
  • 年月日: 2012-11-29
• [学会発表] Low stress high-crystallization-temperature doped GeTe for improving performance of phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 38th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2012)
  • 発表場所: Toulouse, France
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] Controlled promotion of crystallization for multilevel phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: the 38th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2012)
  • 発表場所: Toulouse, France
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] Multi-Level Storage Phase-Change Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, and S. Hosaka
  • 学会等名: 2012 International Conference on Mechatronics and Intelligent Materials
  • 発表場所: Guilin, China
  • 年月日: 2012-05-18
• [備考] Yin's Homepage
  • URL: http://www.ps.eng.gunma-u.ac.jp/~yinyou/index.html
• [備考] Yin's homepage
  • URL: http://www.ps.eng.gunma-u.ac.jp/~yinyou/
• [備考]
  • URL: http://www.px.eng.gunma-u.ac.jp/~yinyou/